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| IRF1404功率場效應(yīng)管概述及特性 |
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| 文章來源： 更新時間：2011/3/12 16:23:00 |
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IRF1404 概述
IR的HEXFET功率場效應(yīng)管IRF1404采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通阻抗。IRF1404這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅固耐用著稱的HEXFET設(shè)計，使得IRF1404成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。TO-220封裝的IRF1404普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF1404得到業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可。D2Pak封裝的IRF1404適用于貼片安裝，比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝，可說是功率最高，導(dǎo)通阻抗最低。TO-262是IRF1404的通孔安裝版，適合較低端的應(yīng)用。
IRF1404 特性
- 先進(jìn)的工藝技術(shù)
- 貼片安裝（IRF1404S）
- 低端通孔安裝（IRF1404L）
- 超低導(dǎo)通阻抗
- 動態(tài)dv/dt率
- 175℃工作溫度
- 快速轉(zhuǎn)換速率
- 車工級產(chǎn)品
- 無鉛環(huán)保
| IRF1404 參數(shù) |
| IRF1404 基本參數(shù) |
| VDSS |
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40 V |
| ID @25℃ |
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162 A |
| RDS(on) Max |
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4.0 mΩ |
| IRF1404 其他特性 |
| FET極性 |
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N型溝道 |
| Qg Typ |
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160 nC |
| IRF1404 封裝與引腳 |
| TO-220AB, TO-263, TO-262 |
引腳布局
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