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TPS56221/TPS56121 15A與25A SWIFT™ 降壓轉(zhuǎn)換器、以業(yè)界最小的封裝實(shí)現(xiàn)最高的功率密度與效率
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2011/4/8 11:47:00
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日前,德州儀器 (TI) 日前宣布推出集成FET 的業(yè)界最小型、最高效率的降壓轉(zhuǎn)換器,可為電信、網(wǎng)絡(luò)以及其它應(yīng)用提供高達(dá) 25 A 的電流。 

25 A,14 V 的TPS56221 集成NexFET MOSFET且簡(jiǎn)單易用,與 SWIFT 開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器同步,可在12 V 輸入至 1.3 V 輸出的高負(fù)載條件下,同時(shí)實(shí)現(xiàn)超過(guò) 200W/in3的功率密度以及超過(guò) 90% 的效率,從而可在 500 kHz 開(kāi)關(guān)頻率下提供高達(dá) 25 A 的持續(xù)輸出電流。最新 TPS56121 15 A、14 V 同步開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器與其它同類產(chǎn)品相比,不但可在 5 V 輸入至 1.2 V 輸出下將效率提高 3%,而且還可將開(kāi)關(guān)速度提高 2 倍。
 
TI 電源管理業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁 Sami Kiriaki 指出:“板裝電源通常有很多電路,因而需要更高的功率密度與電源效率,尤其是那些在更強(qiáng)電流下工作的系統(tǒng)。這兩款新產(chǎn)品既可將我們的 SWIFT 系列產(chǎn)品延伸至更強(qiáng)電流應(yīng)用的領(lǐng)域,又可幫助我們的客戶在功率密度、效率以及熱管理方面有所突破,從而為終端設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更高的可靠性。”
 
TPS56221 TPS56121 采用熱增強(qiáng)型 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝,尺寸比其它分立式解決方案小 30% ,僅為 315 mm2。這兩款器件是首批集成 TI NexFET 技術(shù)的產(chǎn)品,可提高熱性能、保護(hù)功能、效率以及可靠性。它們不但提供 300kHz、500kHz 以及 1MHz 三種可選頻率以實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性,而且還支持 4.5 V~14 V 的寬泛輸入電壓。
  
TPS56221 TPS56121 的主要特性與優(yōu)勢(shì):
  • 強(qiáng)電流與高效率: 4.5 V~14 V 輸入電壓時(shí),在 25 A 與15 A 峰值負(fù)載電流下,效率可超過(guò) 90%;
  • 小尺寸與更高功率密度:總體解決方案尺寸僅為315 mm2,可將封裝最大限度地縮小,同時(shí)實(shí)現(xiàn)超過(guò) 200 W/in3 的功率密度;
NexFET 功率塊支持多相位 50 A、100 A及更強(qiáng)電流
除 SWIFT 轉(zhuǎn)換器的強(qiáng)電流性能之外,TI去年推出的 CSD86350Q5D NexFET 功率塊還可在更強(qiáng)電流下實(shí)現(xiàn)高效率的多相位負(fù)載點(diǎn)設(shè)計(jì)。小巧的 5 毫米 x 6 毫米堆棧型 MOSFET 采用接地引線框架 SON 封裝,支持高達(dá) 1.5 MHz 的頻率,可降低熱阻抗并簡(jiǎn)化布局。CSD86350Q5D在 25 A 電流下效率超過(guò) 90%,且還能與 TI 的 TPS40140 堆棧控制器相結(jié)合,在保持整個(gè)負(fù)載高效率的同時(shí),支持多相位設(shè)計(jì);其電流可擴(kuò)展至 50 A、100 A 以及更高。
 
廣泛的降壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品系列
TI 可提供業(yè)界最廣泛的降壓轉(zhuǎn)換器,其中包括集成FET 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、支持外部 MOSFET 的 TPS40K™ DC/DC 控制器以及全面集成型電源解決方案,如集成電感器的最新 TPS84620等。
           
供貨情況
TPS56221 TPS56121 采用22 引腳 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝,該封裝有一個(gè)PowerPad™ 散熱焊盤(pán),易于焊接。樣片與評(píng)估板將于 3 月底面市。
 
 
 
 
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