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——TI首次涉足功率器件領(lǐng)域，憑什么？

拍案驚奇，TI也做功率器件了

拿著TI的媒體說明會邀請函，我使勁眨了幾下眼睛，幾乎不相信這是真的，但上面明明寫著“TI新推出的功率MOSFET系列器件……”。你要是說Fairchild、英飛凌、IR、安森美、Vishay什么的發(fā)出這封邀請，倒也不奇怪。

的確，TI一直都在推DC/DC轉(zhuǎn)換器，但此DC/DC非彼DC/DC，明眼人一看，就知道TI產(chǎn)品都是功率管理IC陣營的，電流最多就幾百毫安，但Fairchild等做的低壓分立器件，電流幾十安。

MOSFET已經(jīng)做了十幾年了，市場分割已趨成熟。TI為何要涉足此領(lǐng)域，因此，2010年1月20日，我也好奇地來赴此次會議。

TI龍卷風(fēng)：DualCool NexFET PK 溝槽架構(gòu)好在哪兒？

我首先看到了新聞資料，2009年2月17日，TI收購CICLON半導(dǎo)體公司。CICLON諧音Cyclone（龍卷風(fēng)），其意不言自明。再一看，果然有專利的名為NexFET（我猜是next MOSFET的含義）的MOSFET，可通過大幅減少柵極電荷提供性能和優(yōu)化尺寸，而不同于通常采用的溝槽技術(shù)。

TI稱NexFET堪比上世紀(jì)90年代興起的溝槽構(gòu)造（圖1）。我猜TI指的是Fairchild等公司的Trench，但Fairchild現(xiàn)在已經(jīng)推出SupreMOS(圖2)——一種專利的深溝槽技術(shù)，其他公司也有各種專利，TI卻在此沒有陳述。


圖1 TI的NexFET構(gòu)造

不僅如此，TI在消化CICLON近1年后，又添油加醋，開發(fā)了專利的DualCool NexFET。我們知道英飛凌有個著名的CoolMOS，我估摸著DualCool是沖著英飛凌來的，Dual（雙）的含義是增加了頂端散熱，TI的官話是：使功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的熱量能通過對流冷卻從頂端散出（圖2）。


圖2 DualCool的頂端散熱

TI這次推出了五款產(chǎn)品，新聞點主要是：在標(biāo)準(zhǔn)尺寸下將散熱效率提升80%，允許電流提高50%。但是請注意，正如圖1所示，“標(biāo)準(zhǔn)”MOSFET平面構(gòu)造是上世紀(jì)80年代的典范，21世紀(jì)了，技術(shù)也該升級了吧。

而且，一般公司喜歡拿出和競爭對手的性能指標(biāo)曲線來比較，TI此次還沒來得及給大家展示。

TI為何對功率器件拍案？

TI非等閑之輩。他想進(jìn)入這個領(lǐng)域，可能也不是貪圖小利，更不是為了財務(wù)報表美觀那點虛榮。據(jù)TI中國區(qū)電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)拓展工程師—吳濤介紹(圖3)，TI想涉足電源分立器件領(lǐng)域，進(jìn)而在電源領(lǐng)域的份量更重。吳濤說，TI目前的電源功率器件IC領(lǐng)域只能為TI帶來TAM（整個累積市場）1.50美元的價值，進(jìn)入低壓FET領(lǐng)域，可以達(dá)到TAM 4.50美元。請注意，這數(shù)字精確到0.01美元，可見TI在乎這塊市場。


圖3 TI在電源器件市場的位置

因此，可以相信，此次MOSFET拍案驚奇，是TI向整個電源市場邁出的戰(zhàn)略一大步！


照片：TI中國區(qū)電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)拓展工程師—吳濤


圖4 五款產(chǎn)品