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Tri-Gate 世界上第一個3-D三維晶體管
文章來源: 更新時間:2011/6/11 11:58:00
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Intel今天如約宣布了所謂的“年度最重要技術(shù)”——世界上第一個3-D三維晶體管“Tri-Gate”。

晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)的基石,而Intel此舉堪稱晶體管歷史上最偉大的里程碑式發(fā)明,甚至可以說是“重新發(fā)明了晶體管”。半個多世紀以來,晶體管一直都在使用2-D平面結(jié)構(gòu),現(xiàn)在終于邁入了3-D三維立體時代。

3-D Tri-Gate使用一個薄得不可思議的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)二維晶體管上的平面柵極,形象地說就是從硅基底上站了起來。硅鰭片的三個面都安排了一個柵極,其中兩側(cè)各一個、頂面一個,用于輔助電流控制,而2-D二維晶體管只在頂部有一個。由于這些硅鰭片都是垂直的,晶體管可以更加緊密地靠在一起,從而大大提高晶體管密度。

這種設(shè)計可以在晶體管開啟狀態(tài)(高性能負載)時通過盡可能多的電流,同時在晶體管關(guān)閉狀態(tài)(節(jié)能)將電流降至幾乎為零,而且能在兩種狀態(tài)之間極速切換(還是為了高性能)。Intel還計劃今后繼續(xù)提高硅鰭片的高度,從而獲得更高的性能和效率。

Intel聲稱,22nm 3-D Tri-Gate三維晶體管相比于32nm平面晶體管可帶來最多37%的性能提升,而且同等性能下的功耗減少一半,這意味著它們更加適合用于小型掌上設(shè)備。

Tri-Gate將用于下代新工藝22nm,首批產(chǎn)品就是我們已經(jīng)非常熟悉的Ivy Bridge,定于2011年底投入量產(chǎn)、2012年初正式發(fā)布。新工藝晶體管是如此微小,以致于就在這個句子的空間內(nèi)就能塞進600多萬個。

隨著摩爾定律的進步越來越艱難,科學(xué)家們也造就意識到了3-D結(jié)構(gòu)晶體管的必要性。事實上,Intel早在2002年就宣布了3-D晶體管設(shè)計,先后經(jīng)過了單鰭片晶體管展示(2002年)、多鰭片晶體管展示(2003年)、三柵極SRAM單元展示(2006年)、三柵極后柵極(RMG)工藝開發(fā)(2007年),直至今日方才真正成熟。這一突破的關(guān)鍵之處在于,Intel可將其用于大批量的微處理器芯片生產(chǎn)流水線,而不僅僅停留在試驗階段。摩爾定律也有望從此掀開新的篇章。

Intel還在路線圖中透露,代號P1272的14nm工藝將于2013年投入量產(chǎn),2015年則進步到10nm,代號P1274。

Intel宣布革命性3-D晶體管 22nm Ivy Bridge嘗鮮

官方高清圖——

Intel宣布革命性3-D晶體管 22nm Ivy Bridge嘗鮮
22nm 3-D Tri-Gate三維晶體管

Intel宣布革命性3-D晶體管 22nm Ivy Bridge嘗鮮
22nm 3-D Tri-Gate三維晶體管

Intel宣布革命性3-D晶體管 22nm Ivy Bridge嘗鮮
22nm 3-D Tri-Gate三維晶體管

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32nm 2-D二維晶體管

Intel宣布革命性3-D晶體管 22nm Ivy Bridge嘗鮮
32nm二維晶體管與22nm三維晶體管對比

 

 

Intel宣布革命性3-D晶體管 22nm Ivy Bridge嘗鮮
Intel半導(dǎo)體工藝和晶體管創(chuàng)新近代史

Intel宣布革命性3-D晶體管 22nm Ivy Bridge嘗鮮
3-D晶體管發(fā)展史

Intel宣布革命性3-D晶體管 22nm Ivy Bridge嘗鮮
摩爾定律的進步之晶體管漏電率、運行功耗

Intel宣布革命性3-D晶體管 22nm Ivy Bridge嘗鮮
摩爾定律的進步之單晶體管成本

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22nm 3-D Tri-Gate三維晶體管結(jié)構(gòu)簡圖

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柵極(Gates)和鰭片(Fins)

Intel宣布革命性3-D晶體管 22nm Ivy Bridge嘗鮮
32nm平面與22nm立體對比

 

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Bulk晶體管

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厚膜部分耗盡SOI (PDSOI)

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薄膜全耗盡SOI (FDSOI)

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薄膜全耗盡三維晶體管

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可以多個鰭片連接在一起,提高整體應(yīng)變強度,進而提高性能

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傳統(tǒng)平面晶體管柵極電壓與通道電流關(guān)系圖

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同等電壓下,三維晶體管電流更低,而且電壓越低越明顯,從而降低漏電率

 

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極限電壓也得到了降低

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32nm平面晶體管運行電壓與晶體管柵極延遲關(guān)系圖

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22nm平面晶體管關(guān)系圖

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22nm三維晶體管關(guān)系圖:可加快18-37%,而且電壓越低越明顯

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同等延遲下電壓可降低0.2V

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3D Tri-Gate三維晶體管的好處

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22nm工藝將率先享受三維晶體管

 

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22nm Ivy Bridge

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幾乎所有領(lǐng)域的Intel處理器都會陸續(xù)迎來三維晶體管

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三維晶體管更有利于打造低功耗IA處理器

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Intel Tick-Tock路線圖

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Intel 22nm晶圓廠

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興奮不已的摩爾老爺子

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