美國國家半導體公司（National Semiconductor Corp.）日前宣布，推出業(yè)界首款針對高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強型氮化鎵（GaN）功率場效應晶體管（FET）而優(yōu)化的100V半橋柵極驅(qū)動器。美國國家半導體新推出的LM5113是一款高度集成的高邊和低邊GaN FET驅(qū)動器，與使用分立驅(qū)動器的設(shè)計相比，其可減少75％的組件數(shù)量，并還能縮小多達85％的印刷電路板（PCB）面積。
磚式電源模塊和通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的設(shè)計人員需要以最小的外形尺寸實現(xiàn)更高的功效。與標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）相比，由于具有較低的導通電阻（Rdson）、柵極電荷（Qg）以及超小的體積，增強型GaN FET可以實現(xiàn)更高的效率和功率密度，但是要可靠地驅(qū)動這類器件也面臨著新的重大挑戰(zhàn)。美國國家半導體的LM5113驅(qū)動集成電路化解了這些挑戰(zhàn)，使電源設(shè)計人員能夠在各種流行的電源拓撲結(jié)構(gòu)中發(fā)揮GaN FET的優(yōu)勢。
為了滿足增強型GaN FET嚴格的柵極驅(qū)動要求，我們需要多個分立器件和大量的電路以及PCB設(shè)計工作。美國國家半導體的LM5113完全集成的增強型GaN FET驅(qū)動器大大減少了電路的數(shù)量和PCB的設(shè)計工作，并實現(xiàn)了業(yè)界最佳的功率密度和效率。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(Efficient Power Conversion Corporation)的創(chuàng)始人之一兼首席執(zhí)行官Alex Lidow表示：“美國國家半導體的LM5113橋式驅(qū)動器有助于設(shè)計人員通過簡化設(shè)計來發(fā)揮eGaN FETs的性能。LM5113大大減少了元件數(shù)量，與我們的eGaN FETs配合使用，可以大幅縮小PCB面積，實現(xiàn)更高的功率密度水平，而基于等效MOSFET的設(shè)計是做不到這一點的。”
LM5113橋式驅(qū)動器的技術(shù)特點
美國國家半導體的LM5113是一款針對增強型GaN FET的100V橋式驅(qū)動器。該器件采用專有技術(shù)，可將高邊浮動自舉電容電壓調(diào)節(jié)到大約5.25V，以優(yōu)化驅(qū)動增強型GaN功率FET，而不會超過最高柵-源額定電壓。LM5113還具有獨立的匯/源輸出，可實現(xiàn)靈活的導通強度和關(guān)斷強度。0.5歐姆的低阻抗下拉路徑為低閾值電壓增強型GaN功率FET提供了一種快速、可靠的關(guān)斷機制，有助于最大限度地提高高頻電源設(shè)計的效率。LM5113集成了一個高邊自舉二極管，進一步縮小了PCB面積。LM5113還為高邊和低邊驅(qū)動器提供了獨立的邏輯輸入，從而可以靈活運用于各種隔離式和非隔離式電源拓撲結(jié)構(gòu)。
封裝、價格及供貨情況
美國國家半導體的LM5113采用10引腳4mm×4mm LLP封裝。采購均以1,000顆為單位，單顆售價為1.65美元�，F(xiàn)已可提供樣品，并將于九月份量產(chǎn)。 |
