橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商及電子設(shè)備EEPROM存儲(chǔ)器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出新款存儲(chǔ)器產(chǎn)品，擁有在緊急情況發(fā)生時(shí)儲(chǔ)存重要數(shù)據(jù)的快速數(shù)據(jù)記錄功能。新產(chǎn)品主要用于突然斷電的系統(tǒng)數(shù)據(jù)恢復(fù)以及發(fā)現(xiàn)設(shè)備故障或事故原因的黑匣子記錄器等應(yīng)用。
通過M35B32 EEPROM芯片，系統(tǒng)能夠在1毫秒內(nèi)完成大量關(guān)鍵信息 (2Kbits)的儲(chǔ)存 ，當(dāng)檢測到系統(tǒng)故障或事故時(shí)可立即做出反應(yīng)。如果發(fā)生斷電等意外情況，在電源電壓降至最低額定電壓前，這款超快速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器可以保存系統(tǒng)恢復(fù)所需的信息。
這款高速存儲(chǔ)器的主要目標(biāo)應(yīng)用包括游戲機(jī)、電池供電設(shè)備、電表、智能電網(wǎng)設(shè)備、工業(yè)系統(tǒng)以及醫(yī)療設(shè)備。相較于市場上的同類非易失性存儲(chǔ)器，M35B32的寫入速度約為標(biāo)準(zhǔn)32-Kbit EEPROM的40倍，可媲美閃存的寫入速度。意法半導(dǎo)體全新的存儲(chǔ)器產(chǎn)品的功耗約為閃存的十分之一，當(dāng)系統(tǒng)電源意外失效時(shí)，設(shè)計(jì)人員只需使用一個(gè)正常尺寸十分之一的后備電源電容器即可完成寫入操作，從而大幅度節(jié)省材料成本和電路板空間。相較于高速FRAM技術(shù)，M35B32的EEPROM技術(shù)更具成本與品質(zhì)優(yōu)勢。
M35B32擁有32-Kbit的存儲(chǔ)容量， 分為事件記錄和正常系統(tǒng)EEPROM兩個(gè)存儲(chǔ)區(qū)。這兩個(gè)存儲(chǔ)區(qū)可讓用戶按照不同的應(yīng)用要求調(diào)整存儲(chǔ)空間。256 bytes的大容量存儲(chǔ)頁準(zhǔn)許一次寫入大量數(shù)據(jù)，當(dāng)向事件記錄區(qū)尋址時(shí)，信息寫入時(shí)間小于1毫秒，這個(gè)特性可提升系統(tǒng)性能，并節(jié)省軟件開銷。M35B32內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)SPI串行接口，可直接替代標(biāo)準(zhǔn)SPI串口存儲(chǔ)器。
M35B32已投入量產(chǎn)，采用SO8N、TSSOP8和FPN 2 x 3mm微型貼裝。汽車質(zhì)量級(jí)產(chǎn)品將于2012年初推出，新產(chǎn)品將簡化汽車系統(tǒng)如ABS的設(shè)計(jì)。 |
