臺灣新竹，常憶科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一顆256Kbit序列閃存產(chǎn)品─PM25LD256C。
市場上既有的序列閃存廠商之技術(shù), 由于在小容量產(chǎn)品上已無法有效降低die size及成本, 因此序列閃存產(chǎn)品在業(yè)界之最小容量一般只做到512Kbit, 惟常憶科技以pFlash的專利設(shè)計才能有效降低512Kbit以下容量的Flash die size, 故決定推出該項業(yè)界獨有之產(chǎn)品。
常憶科技256Kbit序列閃存產(chǎn)品的主要應(yīng)用市場,是在需要極小容量程序代碼或數(shù)據(jù)存儲的運用方面,如NB/PC cam、游戲機(jī)、服務(wù)器、數(shù)字機(jī)上盒、數(shù)字電視等等原本使用EEPROM 32Kbit ~ 256Kbit之應(yīng)用。在不增加現(xiàn)有接腳數(shù), 且能提供極佳讀寫速度, 擦寫次數(shù), 低耗電量及長期數(shù)據(jù)保存年限, 并幫助系統(tǒng)廠商降低原本較昂貴的EEPROM成本最高可達(dá)60%, 常憶科技256Kbit序列閃存產(chǎn)品是最合適的選擇。
藉由PMOS band-to-band-tunnel(BTBT)專利的制程結(jié)構(gòu)，0.18um pFlash 在-40度C至105度C可確保在經(jīng)過20萬次擦寫后仍可保存資料長達(dá)20年。相較同業(yè)普遍使用的其它技術(shù)，die size面積約可縮小百分之40，并降低使用功率以及靜態(tài)電流, 故常憶科技之序列閃存在過去十年持續(xù)提高出貨量及市占率, 質(zhì)量表現(xiàn)在2010全年累計為0.4ppm, 更為閃存創(chuàng)下業(yè)界品質(zhì)之標(biāo)竿。
常憶科技已于今年四月推出PM25LD256C樣品后，于七月正式量產(chǎn)。相關(guān)產(chǎn)品說明請至常憶科技網(wǎng)站查詢。
以下為PM25LD256C產(chǎn)品之主要功能說明:
功能
容量: 256Kbit; 符合Serial Peripheral Interface基本協(xié)議架構(gòu)
抹除單位: 4K-byte or 32K-byte
寫入單位: 256-byte per page
工作電壓范圍 : 2.7-3.6V
符合工業(yè)級溫度范圍 -40 ~ 105’C
性能表現(xiàn)
讀取性能表現(xiàn): Max 100MHz for fast read
寫入性能表現(xiàn)(時間): Typical 2ms per page program
抹除性能表現(xiàn)(時間): Sector/Block/Chip Max 7ms
耗電表現(xiàn): Typical 1mA active read current, Typical 10mA program/erase current
擦寫次數(shù): Min 200,000 cycles
資料保存年限: Min 20 years
封裝
業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)之 8 pin SOIC, TSSOP, USON, KGD
符合RoHS的無鉛封裝
關(guān)于常憶科技：
常憶科技，成立于1995年，為擁有P-channel閃存技術(shù)的先鋒并擁有超過六十個設(shè)計、組件及技術(shù)專利的專業(yè)IC設(shè)計廠商。常憶科技以pFlash為商標(biāo)，設(shè)計并銷售NOR flash產(chǎn)品以應(yīng)用于個人計算機(jī)、電子消費、網(wǎng)絡(luò)及無線通訊相關(guān)組件，并為低容量NOR flash主要供貨商之一。常憶科技也以pFusion為商標(biāo)，使用其PMOS 非揮發(fā)性內(nèi)存的專利，提供合作晶圓廠嵌入式閃存及嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案，并授權(quán)其制造各種不同的微控制器及IC卡。 |
