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2012年最值得關(guān)注的五類半導(dǎo)體器件
文章來源: 更新時間:2012/3/18 10:52:00
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隨著2012年第一季度即將過去,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走勢也逐漸明朗,在走訪了多家半導(dǎo)體廠商后,2012年幾大熱點應(yīng)用逐漸浮出水面,它們是智能手機、平板電腦、軌道交通、新能源、混合動力汽車、LED照明、便攜醫(yī)療電子產(chǎn)品等,這也帶動了幾類元器件的走熱,這里匯集半導(dǎo)體廠商的分析,談?wù)?012年最值得關(guān)注的五類半導(dǎo)體器件。

主控類處理器---關(guān)注ARM Cortex-A5/ A8處理器產(chǎn)品
2011年,智能手機的快速起量讓很多廠商始料不及,2012年春節(jié)以后,這樣的趨勢繼續(xù)延續(xù),而且低價智能手機繼續(xù)受到熱捧,近日,德勤發(fā)布的電信行業(yè)2012年發(fā)展趨勢預(yù)測指出,100美元智能手機的普及率將持續(xù)增長,以滿足不斷上升的通信和信息溝通的需要。到2012年底,全球這種低成本的智能手機用戶預(yù)計將超過5億人。
100美元智能手機的崛起是源于消費者希望取代更加基礎(chǔ)的手機,又不需要高端設(shè)備的功耗或功能。新興市場的互聯(lián)網(wǎng)普及度較低,但是對通信和信息服務(wù)的需求卻不斷增加,因此蘊含最大商機,這樣的需求催生了平價Cortex-A5雙核處理器的需求,A5俗稱縮小版A9,其ARM中國區(qū)總裁吳雄昂也表示,A5雙核處理器將成為入門級智能手機的標配,這種處理器主頻在400到800MHz左右,支持Android應(yīng)用,其他還包括支持多點觸控、500萬像素的攝影鏡頭、Hotspots等等,博通已經(jīng)推出了這類處理器,其他廠商也會陸續(xù)推出。

圖1 Cortex-A5處理器框圖
而中低價平板電腦的走熱則會拉動ARM Cortex-A8處理器的需求。目前很多廠商陸續(xù)推出了5美元左右的ARM Cortex-A8處理器,主打領(lǐng)域為工業(yè)、教育、物流等垂直應(yīng)用市場,在2012年慕尼黑上海電子展上,ARM中國移動計算市場經(jīng)理陳鵬將出席國際便攜技術(shù)創(chuàng)新論壇R發(fā)表演講,分享ARM移動策略,歡迎工程師朋友報名參會了解詳情。

功率器件---關(guān)注SiC的成長
在節(jié)能減排的大趨勢下,功率半導(dǎo)體廠商都在想法設(shè)法讓器件節(jié)約每個庫倫的電量,在MOSFET方面,飛兆半導(dǎo)體、英飛凌、威世半導(dǎo)體等等都在開發(fā)導(dǎo)通電阻更低的產(chǎn)品,這些廠商不斷刷新MOSFET新的導(dǎo)通電阻記錄,另一方面,一些廠商也在積極基于新材料例如SiC 的功率器件的發(fā)展,例如羅姆半導(dǎo)體(ROHM)在其未來發(fā)展4大戰(zhàn)略中,其中之一是“功率元器件”戰(zhàn)略。羅姆于2010年4月開始SiC-SBD的量產(chǎn),2010年12月世界首家開始SiC-MOSFET的量產(chǎn)。羅姆半導(dǎo)體認為,SiC器件應(yīng)用會在2012年走熱,原因為,一、新能源解決方案的熱門技術(shù)是SiC器件。預(yù)計2012年會出現(xiàn)新的參與廠家。一直以來,羅姆積極推進溝槽型SiC-MOSFET等產(chǎn)品的研究開發(fā),通過將其量產(chǎn)化,早于其他公司率先推出領(lǐng)先一步的SiC元器件。二、在電動汽車、混合動力汽車領(lǐng)域,也是SiC可以發(fā)揮的領(lǐng)域,對于新能源汽車來說,在控制方面電氣不可或缺。

圖2  羅姆半導(dǎo)體的SiC-MOSFET

被動元件---關(guān)注高精密高耐壓阻容元件
隨著平板電腦智能手機的走熱,被動元件的需求被進一步提升,因為電子產(chǎn)品優(yōu)異的性能需要更多更精密的被動元件來完成,威世半導(dǎo)體就認為平板電腦,汽車,醫(yī)療電子,新能源市場中的太陽能、風(fēng)能,混合動力和純電動汽車,智能手機,工業(yè)電子市場會給被動元件帶來更多商機,所以在2012年慕尼黑上海電子展商,威世半導(dǎo)體將展出,具有高達3W的功率等級和0.0005Ω的極低阻值的WSLP2512電阻、具有0mm至10mm短電氣行程的線性位置霍爾效應(yīng)傳感器、高精密儀表分流電阻,最小容量提高至470pF的表面貼裝X7R MLCC以及具有+175℃的高溫性能的TH4鉭電容器等等,Vishay亞洲區(qū)事業(yè)發(fā)展部總監(jiān)楊益彰也表示智能手機會用到越來越多的MLCC。

村田也在積極推廣汽車級別安規(guī)電容,高壓高容值電容等產(chǎn)品。在2012年慕尼黑上海電子展上,村田帶來了一系列新產(chǎn)品。包括用于新能源汽車的高壓電容和安規(guī)電容產(chǎn)品,如村田的汽車電力用貼片陶瓷電容器EVC系列,適用于SiC(碳化硅)半導(dǎo)體的高頻高溫動力電子設(shè)備,可以保證150度的操作溫度。此外村田的KJ系列安規(guī)電容是世界上尺寸最小的車載級安規(guī)電容,適用于EV/HEV的充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器。針對引擎控制模塊的EMI解決方案,因為有共模扼流線圈產(chǎn)品展示。

電池技術(shù)—關(guān)注新型電容器及監(jiān)測技術(shù)
半導(dǎo)體廠商們都認為電動交通必然是汽車電子行業(yè)的主要焦點。而電池技術(shù)則是焦點中的焦點,沒有好的電池技術(shù),電動交通的成本效益都是難題,目前,原始設(shè)備生產(chǎn)商(OEM)正大量投資在急需技術(shù)上面。如愛普科斯(EPCOS)就開發(fā)了動力傳動系統(tǒng)變頻器用的高性能PCC塊狀電力電容器。
在電動交通領(lǐng)域方面,愛普科斯還在提高薄膜電容器的產(chǎn)能,以滿足客戶日益增長的需求。愛普科斯認為在未來幾年內(nèi)燃機車仍將繼續(xù)成為車輛銷售的主流,因此將繼續(xù)加強在壓電執(zhí)行器方面的優(yōu)勢;谖覀兿冗M的工藝技術(shù),并以保持性能不變?yōu)榍疤幔覀兂晒ν瞥龅膲弘妶?zhí)行器,內(nèi)電極上已從銀鈀改用銅。
凌力爾特(Linear)產(chǎn)品市場經(jīng)理Brian Black則強調(diào)對于汽車行業(yè)來說,從內(nèi)燃機過渡到諸如電動汽車等替代能源技術(shù)代表著一次重大轉(zhuǎn)變。它需要開發(fā)高容量、高功率密度、安全與堅固的能量存儲和輸送系統(tǒng)。
在下一代電池技術(shù)的開發(fā)方面,仍有很長的路要走。與第一代混合動力汽車 (HEV) 中所使用的鎳氫 (NiMH) 電池相比,新的電池化學(xué)組成通常需要較高精度的測量和監(jiān)視,以最大限度地延長汽車的行駛里程并延長電池組的使用壽命。

存儲應(yīng)用---關(guān)注Nand Flash
2012年,隨著智能手機、平板電腦、Ultrabook的井噴式爆發(fā),有一種半導(dǎo)體器件會受到產(chǎn)業(yè)的萬眾矚目----這就是Nand Flash,調(diào)研機構(gòu)更預(yù)測其火爆程度將超越DRAM,很多機構(gòu)預(yù)測OEM/ODM業(yè)者在成本壓力下會將資源用于NAND Flash而非DRAM,因為NAND Flash能給用戶帶來明顯的體驗提升,而NAND Flash在2012年的應(yīng)用亮點將在eMMC、SSD和USB3.0上集中綻放!
而且,在蘋果的示范帶動下,NAND Flash出貨將激增,年復(fù)合成長率高達70%!據(jù)預(yù)測,2015年全球媒體平板用NAND flash出貨量將由2011年的16億GB大增10倍至163億GB,而占整體NAND flash出貨量的比重也將由9%上升至17%。此外,預(yù)測每臺iPad內(nèi)建的NAND flash平均容量將在2012年上升9.4%至33.8GB。
另外,支持USB 3.0的英特爾新版處理器IvyBridge已確定會在4月底上市,布局USB 3.0產(chǎn)品線的廠商都會獲益,也會帶動筆記本、U盤類產(chǎn)品的升級。


圖3 東芝的NAND Flash

要了解更多有關(guān)本土NAND Flash應(yīng)用信息,可以參加BIWIN首屆Nand Flash 應(yīng)用高峰論壇(http://www.eetrend.com/news/100035341)了解詳情!
其他類器件如LED照明驅(qū)動IC、針對智能家庭的聯(lián)網(wǎng)類產(chǎn)品也有不錯的表現(xiàn),這里不再一一累述,更多信息可以參會2012年慕尼黑上海電子展,現(xiàn)場了解熱門器件的性能。
http://www.electronicachina.com.cn/

 
 
 
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