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SD6835 內(nèi)置高壓MOSFET電流模式PWM+PFM控制器
文章來源: 更新時間:2012/12/17 13:27:00
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士蘭微電子的AC-DC產(chǎn)品線又推新品-------應(yīng)用于開關(guān)電源的內(nèi)置高壓MOSFET電流模式PWM+PFM的AC/DC控制器SD6835。該芯片符合能源之星2.0標(biāo)準(zhǔn),具有低功耗、低啟動電流和較低的EMI,輸出電壓和極限輸出功率均可調(diào)節(jié)等特點。目前該新品可以提供的功率范圍為:寬電壓范圍情況下封閉式適配器20W,開放式電源24W,窄電壓范圍情況下封閉式適配器22W,開放式電源26W。

相比于士蘭微電子前期推出的產(chǎn)品,SD6835內(nèi)置了極限輸出功率補償電路,可以平衡寬電壓范圍的極限輸出功率;也內(nèi)置斜坡補償電路和CS異常過流保護,分別可以適應(yīng)更寬的變壓器應(yīng)用和改善短路反峰值。

SD6835采用了多項士蘭微電子自主研發(fā)的專利技術(shù),如交錯式頻率抖動技術(shù)和峰值電流補償技術(shù)等。其中交錯式頻率抖動技術(shù)可以使得芯片振蕩頻率不斷變化,以減小芯片在某個單一頻率的對外輻射,并使振蕩頻率在一個很小的范圍內(nèi)變動,從而可以有效地降低EMI,簡化EMI設(shè)計。峰值電流補償技術(shù)可以抑制峰值電流的過沖,還可以在電路初始化后有效地減小芯片啟動時變壓器的應(yīng)力,實現(xiàn)軟啟動功能。這些專利技術(shù)的應(yīng)用使得該產(chǎn)品在市場同類產(chǎn)品的競爭中占據(jù)優(yōu)勢。

同時,該新品具有較好的性能特性,可以根據(jù)輸出的負(fù)荷情況調(diào)節(jié)開關(guān)頻率(25~67KHz)和峰值電流,可以通過輕負(fù)載的降頻模式和峰值電流控制功能提供更高的效率,也可以通過讓芯片在待機模式下進入打嗝模式降低芯片的待機功耗。

此外,SD6835內(nèi)部集成了各種異常狀態(tài)保護功能,以保證芯片正常的工作狀態(tài)。包括欠壓鎖定,過壓保護,過載保護,過溫保護和脈沖前沿消隱功能。在芯片發(fā)生保護以后,芯片可以不斷自動重啟,直到系統(tǒng)正常為止。另外,芯片內(nèi)置CS異常過流保護,當(dāng)CS超過特定值時開關(guān)不輸出,低于此值時,下一個周期即可開關(guān)解鎖。

 
 
 
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