一、IGBT溉述
正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動機(jī)變頻調(diào)速中，它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體管(GTR)已成定論。IEGT在高電壓領(lǐng)域中保持快速開關(guān)特性。在20世紀(jì)末，采用特殊結(jié)構(gòu)和特殊少子壽命控制(如質(zhì)子注入加特殊退火工藝規(guī)范)的IGBT，在600—1200V電壓水平下，使工作頻率達(dá)到150kHz(硬開關(guān))和300kHz(軟開關(guān))，被稱為霹靂型IGBT。它們將在開關(guān)電源中與功率MOSFET競爭，以其導(dǎo)通壓降小，電流密度大，電壓等級高，成本低等優(yōu)點(diǎn)占有優(yōu)勢。今后十年的開關(guān)電源，也許這種IGBT的市場份額將會擴(kuò)大。
二、零電壓IGBT軟開關(guān)
1、硬開關(guān)與軟開關(guān)
(1)硬開關(guān)：開關(guān)的開通與關(guān)斷伴隨著電壓和電流的劇烈變化，產(chǎn)生較大的開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲。
(2)軟開關(guān)：在主電路中加上小電感或電容等諧振元件，這樣開關(guān)管的通、斷前后引入諧振，開關(guān)條件得到改善，從而降低開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲。
2、電壓IGBT軟開關(guān)
IGBT是功率MOSFET和雙極型晶體管組成的復(fù)合器件，IGBT比起MOSFET的優(yōu)越性在于它可以節(jié)約硅片的面積及具有雙極型晶體管的電流特性。
3、電路組成
感應(yīng)加熱電源隨著工業(yè)的發(fā)展要求，其功率越做越大。這樣，在中小功率場合廣泛應(yīng)用的MOSFET已不能滿足功率要求。在高壓大功率的電源上，IGBT成為主角�？墒荌GBT具
有較大的功率損耗。我們在移相全橋PWM硬開關(guān)的基礎(chǔ)上，增加一個諧振電感，形成了應(yīng)用IGBT的PB—ZVS—PWM變換器。
4、輸入低電壓限制
該電源的最低輸入電壓為320V，當(dāng)輸入的電壓低于正常工作需要的最低電壓時，正常的情況下一般要進(jìn)行關(guān)機(jī)操作，但是，這樣會使電壓型控制的電源進(jìn)入“閉鎖”模式，即輸出的占空比達(dá)到最大值，無法對輸出進(jìn)行調(diào)節(jié)，當(dāng)輸入電壓又回到正常值時，就會損壞電源和負(fù)載。另外，輸入電壓越低，通過功率開關(guān)管的電流就‘越大，會使開關(guān)管因功耗過大而損壞，為此我們在輸入端上用一個簡單的電壓比較器而很好地解決了此問題。
三、IGBT的驅(qū)動保護(hù)
用IGBT作電源，工作在高速大功率開關(guān)狀態(tài)時，要使它安全可靠的
工作，必須合理設(shè)計(jì)驅(qū)動電路，根據(jù)IGBT的特點(diǎn)，我們在設(shè)計(jì)時主要考慮了以下幾個方面的問題：
(1)選擇合適的柵極正向驅(qū)動
電壓：從減小通態(tài)損耗的角度考慮，柵極正向電壓越高越好，但是，過高的正向柵極電壓將降低IGBT的短路承受能力，因此，我們采用折中的方法，取了一個15V左右的電壓，收到了較好的效果。
(2)加入5V反偏電壓，利于IG—BT的快速關(guān)斷：本條內(nèi)容已在2.2中提到。
(3)為了改善控制脈沖的前沿陡度和防止振蕩，減少IGBT集電極大的電壓尖脈沖，根據(jù)IGBT電流容量和電壓額定值及開關(guān)頻率的不同，選擇合適的柵極串聯(lián)電阻值。
(4)為了阻止當(dāng)集射極間加有高壓時易受外界干擾而使柵射電壓過高引起器件誤導(dǎo)通的現(xiàn)象發(fā)生。在柵射間并接入一個柵射電阻解決了此問題。另外，為了防止柵極驅(qū)動電路出現(xiàn)高壓尖峰，我們在柵射間并接了兩只反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管，其穩(wěn)壓值與正柵壓和負(fù)柵壓相同，但方向相反。
(5)IGBT超音頻感應(yīng)加熱頻繁起停，需要對功率器件IGBT進(jìn)行過流保護(hù)，IGBT一般能抵抗約10us的短路電流。我們通過采取對過流信號延遲搜索的方法，即當(dāng)過流故障信號來臨時，先將柵壓從+15V降至某一設(shè)定值，延時10斗s左右，再進(jìn)行檢測，若故障已消失，柵壓又自動恢復(fù)到+15V左右，若仍處于過流狀態(tài)，則將柵壓降至零伏或以下，使IGBT截止。
四、結(jié)語
進(jìn)入21世紀(jì)以來，作為強(qiáng)電一弱電接口、推進(jìn)現(xiàn)代先進(jìn)制造技術(shù)關(guān)鍵的電力電子正方興未艾地在世界上發(fā)展。今后十年是中國社會從小康走向初步富裕的重要時期，作為一個發(fā)展中國家，發(fā)展電力電子正是完成工業(yè)化、推廣信息化的重大舉措。我們將看到今后十年有關(guān)電力電子的新思想、新理論、新技術(shù)、新材料、新產(chǎn)品、新應(yīng)用將在政產(chǎn)學(xué)研各界的共同努力下，不斷涌現(xiàn)，為持續(xù)造福于人民做出應(yīng)有貢獻(xiàn). |
