東京--(美國(guó)商業(yè)資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布開(kāi)發(fā)全球首款掩膜式只讀存儲(chǔ)器（MROM）單元，以提供更好的單元電流特性，并且單元尺寸不會(huì)增加。這一進(jìn)展是通過(guò)采用多層單元結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)還可以保證高速運(yùn)轉(zhuǎn)。詳細(xì)信息將于6月14日在2013年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì)（Symposia on VLSI Technology and Circuits）期間公布，此次研討會(huì)將于2013年6月11日至14日在日本京都舉行。
MROM的主要作用是存儲(chǔ)引導(dǎo)裝載程序或固件。智能手機(jī)和平板電腦等數(shù)字應(yīng)用的SoC部署的MROM密度正逐年增加，為了縮短存取時(shí)間，有必要將每一代的MROM單元尺寸減半。
在典型的MROM位單元（單層單元）中，隨著SoC工藝技術(shù)的進(jìn)步，制造方面的變化不斷增多，并且單元晶體管的溝道面積不斷縮小。因此40納米一代的存取時(shí)間比先前一代工藝有所增加�？s短存取時(shí)間需要更大的晶體管，因?yàn)楦蟮膯卧娣e可以保證更大的溝道面積。
東芝已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種使用面積達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)單層單元兩倍的多位單元，使單元晶體管中的溝道寬度成功擴(kuò)大了三倍。這也使得單元的電流特性提升了三倍，并且單位面積存儲(chǔ)容量未發(fā)生任何變化。它使得制造變化的影響降低了42%。
東芝已經(jīng)使用40納米一代工藝開(kāi)發(fā)了MROM單元，并計(jì)劃于2014年為部署該單元的數(shù)字應(yīng)用交付SoC。
關(guān)于東芝
東芝是一家全球領(lǐng)先的多元化制造商、解決方案提供商以及先進(jìn)電子電氣產(chǎn)品及系統(tǒng)的營(yíng)銷商。東芝集團(tuán)將創(chuàng)新和想象力帶入廣泛的業(yè)務(wù)之中，包括：LCD電視、筆記本電腦、零售解決方案和多功能一體機(jī)（MFP）在內(nèi)的數(shù)碼產(chǎn)品；半導(dǎo)體、存儲(chǔ)產(chǎn)品和材料在內(nèi)的電子器件；發(fā)電系統(tǒng)、智能社區(qū)解決方案、醫(yī)療系統(tǒng)以及扶手電梯和升降機(jī)在內(nèi)的工業(yè)及社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)，以及家用電器。
東芝成立于1875年，如今已成為一家有著550多家附屬公司的環(huán)球企業(yè)，全球擁有202,000名員工，年銷售額逾6.1萬(wàn)億日元（740億美元）。 |
