杭州士蘭微電子近期推出了滿足能源之星6級能效標(biāo)準(zhǔn)的SD696X系列芯片，該系列芯片內(nèi)置高壓MOSFET及QR（準(zhǔn)諧振）+PWM+PFM控制回路，具有多種高效的工作模式，在不同負(fù)載條件下均可實現(xiàn)最優(yōu)效率，滿足能源之星LEVEL6 (EPS2.0)的效率要求。SD696X系列芯片覆蓋8~18W輸出功率，可廣泛應(yīng)用于機(jī)頂盒、DVD播放機(jī)、電源適配器等整機(jī)產(chǎn)品。
SD696X系列芯片采用了峰值電流補(bǔ)償和抖頻等多項自主專利技術(shù)。其中，峰值電流補(bǔ)償專利技術(shù)可確保高低壓下整機(jī)最大輸出功率一致性，同時又可以減小上電過程中變壓器的應(yīng)力，防止變壓器飽和。而抖頻的專利技術(shù)則可以優(yōu)化整機(jī)EMI性能。
該系列芯片具有多種高效的工作模式：
高壓輸入重載：工作在QR模式下，以減小開關(guān)損耗，最大頻率限制在80KHz；
低壓輸入重載：以PWM模式工作；
輕載：以PFM模式工作，通過降低開關(guān)頻率提高轉(zhuǎn)換效率；
空載或極輕載：以打嗝模式工作，降低的待機(jī)功耗。
同時，芯片可以通過內(nèi)置電流采樣電阻和優(yōu)化降頻曲線等方法進(jìn)一步優(yōu)化轉(zhuǎn)換效率。
此外，SD696X系列芯片內(nèi)部集成各種保護(hù)功能，可確保整機(jī)在各種異常狀態(tài)下的安全工作。保護(hù)功能包括欠壓保護(hù)、過壓保護(hù)、過載保護(hù)、過溫保護(hù)和脈沖前沿消隱功能等。
SD696X系列芯片基于士蘭微電子自主研發(fā)的BCD工藝平臺，采用了DIP-8的封裝形式，內(nèi)置了650V高壓功率MOSFET，具有集成度高、占板面積小、便于整機(jī)調(diào)試等突出的特點。相對于采用分立的控制芯片和功率MOSFET的應(yīng)用方案來說，不僅降低了綜合成本，而且大幅度提高了芯片的可靠性，可以為滿足能源之星6級能效的電源系統(tǒng)提供最優(yōu)的解決方案。 |
