IR推出全新D類音頻芯片組，內(nèi)含IRS20965數(shù)字音頻驅(qū)動(dòng)器IC，可提供受保護(hù)的脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 開關(guān)和完整的音頻MOSFET ，旨在為高性能D類音頻放大器產(chǎn)品作出優(yōu)化。
IRS20965具有高側(cè)和低側(cè)獨(dú)立浮動(dòng)脈沖寬度調(diào)制輸入，能夠從外部的脈沖寬度調(diào)制控制器進(jìn)行死區(qū)時(shí)間控制。新IC的防擊穿邏輯則可在脈沖寬度調(diào)制控制器故障時(shí)提供額外的防護(hù)。該產(chǎn)品還具有過流檢測(cè)輸出和2A柵極驅(qū)動(dòng)輸出能力。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新的芯片組配備IRS20965數(shù)字音頻驅(qū)動(dòng)器IC，讓具有編程性能和保護(hù)功能的外部控制器更靈活。比如，新產(chǎn)品在提供非關(guān)斷過載保護(hù)的同時(shí)，也能保持高質(zhì)量音頻性能�！�
IRS20965以高達(dá)800kHz的頻率操作，其它主要功能包括具有自復(fù)位功能的可編程雙向過流感應(yīng)、卓越的噪聲免疫能力、提供高達(dá)500W輸出功率的±100 V額定值，以及3.3V或5V的邏輯兼容輸入。
IC規(guī)格
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器件編號(hào)
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封裝
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Voffset
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Io+/Io-
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傳播延遲
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過流保護(hù)延遲
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關(guān)斷延遲
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IRS20965SPBF
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16引腳式SOIC
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+/- 100V
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2A/2A
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120 ns
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500 s
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250 ns
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MOSFET規(guī)格
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器件編號(hào)
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擊穿電壓
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導(dǎo)通電阻 (mΩ)
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總柵極電荷 (nC)
|
封裝
|
|
IRF6644
|
100
|
10.3
|
35
|
DFET SJ
|
|
IRF6645
|
100
|
28
|
14
|
|
IRF6665
|
100
|
53
|
8.4
|
DFET SH
|
|
IRF6648
|
60
|
5.5
|
36
|
DFET MN
|
|
IRF6646
|
80
|
7.6
|
36
|
|
IRF6668
|
80
|
12
|
22
|
DFET MZ
|
|
IRF6643
|
150
|
34.5
|
39
|
|
IRF6775M
|
150
|
47
|
25
|
|
IRF6641
|
200
|
60
|
34
|
|
IRF6785M
|
200
|
85
|
26
|
|
IRFB4212pbf
|
100
|
72
|
15
|
TO-220
|
|
IRFB5615pbf
|
150
|
32
|
26
|
|
IRFB4019pbf
|
150
|
80
|
13
|
|
IRFB4227pbf
|
200
|
19.7
|
70
|
|
IRFB5620pbf
|
200
|
60
|
25
|
|
IRFB4020pbf
|
200
|
80
|
18
|
|
IRFB4229pbf
|
250
|
38
|
72
|
|
IRFI4024H-117P
|
55
|
48
|
8.9
|
5引腳式TO-220
|
|
IRFI4212H-117P
|
100
|
72.5
|
15
|
|
IRFI4019H-117P
|
150
|
80
|
13
|
|
IRFI4020H-117P
|
200
|
80
|
19
|
|
