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為便攜設(shè)備供電的創(chuàng)新型雙輸出LDO電源解決方案
文章來源: 更新時間:2015/8/6 9:02:00
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引言
在現(xiàn)代應用中,傳統(tǒng)的低壓降穩(wěn)壓器(LDO)正逐漸被開關(guān)電 源(SMPS)所取代。雖然LDO是一個成本低廉而且強固耐用的電源解決方案,但是它耗電很大。越來越多的便攜設(shè)備廠商,像數(shù)碼相機、手機、PDA制造 商,都在研究用效率更高的解決方案取代LDO的可行性。開關(guān)解決方案的大小,即電源的物理尺寸,通常是這些廠商無法逾越的障礙。
 
STw4141是一個創(chuàng)新的開關(guān)電源,只使用一個外接線圈就能產(chǎn)生兩個獨立的輸出電壓。因為其內(nèi)在的開關(guān)特性,這個芯片的效率很高,而且所需的外部組件數(shù)量極少。該產(chǎn)品的效率可以與兩個獨立的開關(guān)電源媲美,尺寸相當于兩個獨立的LDO電源。因此,能夠取代便攜設(shè)備中的線性電源,或者縮減開關(guān)穩(wěn)壓器的物理尺寸和成本。
 
工作原理
先簡要地了解一下傳統(tǒng)的降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器,STw4141創(chuàng)新的雙輸出拓撲就是源自這種設(shè)計。圖1是一個簡單的降壓轉(zhuǎn)換器的電路示意圖,圖2是其線圈電流的波形。降壓轉(zhuǎn)換器拓撲組件包括PMOS和NMOS組成的功率級、線圈L、輸出電容C和反饋控 制回路。PMOS和NMOS以1/T的頻率反相開關(guān),占空比為D1.。當PMOS晶體管導通時,線圈電流開始上升,斜率為:
 
(1) 當NMOS晶體管導通時,線圈電流開始下降,斜率為:
圖1 降壓拓撲
  圖1 降壓拓撲
(2) 在穩(wěn)態(tài)過程中,下列條件必須有效:
 
(3)公式3是指每個時鐘周期開始時的線圈電流IL必須等于每個時鐘周期結(jié)束時的線圈電流IL(否則系統(tǒng)不是穩(wěn)態(tài))。從這個條件,我們可以得出降壓轉(zhuǎn)換器的占空比公式。
 
(4) 公式4指線圈產(chǎn)生的總電量必須等于負載消耗的總電量,假設(shè)所有的開關(guān)和RDSon損耗忽略不計。
 圖 2 線圈電流波形
  圖 2 線圈電流波形
 
對于雙輸出拓撲,在STw4141穩(wěn)壓器中,線圈產(chǎn)生的電流分配給兩個輸出端,從這兩個輸出端口獲得的負載電流可以(實際上總是)完全不相關(guān)。因此,公式4的穩(wěn)態(tài)條件必須改寫成:
 
(6) 其中,Iload1 是負載從輸出1汲取的電流,Iload2 是負載從輸出2汲取的電流。
 
圖 3 STw4141拓撲
  圖 3 STw4141拓撲
 
為了按照公式6分配電量,系統(tǒng)就需要增加兩個開關(guān)MOS1和MOS2,如圖3所示。當MOS1導通時,線圈內(nèi)貯存的電量就會傳送到輸出1;當MOS2導通時,線圈內(nèi)貯存的電量就會傳送到輸出2。MOS1和MOS2以類似于PMOS和NMOS的1/T頻率反相開關(guān),而占空比D2.不同于PMOS和NMOS的D1。可以說占空比D1是測量系統(tǒng)能夠傳輸?shù)目傠娔艿臉藴,而占空比D2則是測量兩個輸出之間分配 的總電能的標準。值得注意的最重要因素是,該系統(tǒng)只需一個線圈。
 
圖4是雙輸出拓撲線圈電流的波形。與傳統(tǒng)的降壓轉(zhuǎn)換器不同,雙輸出拓撲有三個主要相位:(Vbat-Vout2)/L上升斜率;-Vout2/L下降斜率;-Vout1/L下降斜率。
 
圖4 線圈電流波形
  圖4 線圈電流波形
性能
提高效率的措施包括同步整流、采用脈頻調(diào)制PFM模式、最大限度降低RDSon功耗和先進的內(nèi)部啟用/禁用策略。
 
同步整流用于降低二極管D前向電壓而產(chǎn)生的功耗(見圖1),在二次循環(huán)期間,NMOS晶體管短接二極管D,導致功耗降低。
 
(7) 線圈內(nèi)的電流可能會逆轉(zhuǎn)是同步整流技術(shù)已知的缺點,這會導致功耗增加。STw4141解決了這個難題,方法是當IL=0時,將NMOS晶體管關(guān)斷,預防線圈內(nèi)電流回流。STw4141的同步整流方法在中等負載條件下極大地提高了效率。
 
在負載極低時,通過進入PFM模式,效率得到進一步提高。在PFM模式下,功率轉(zhuǎn)換不再與內(nèi)置振蕩器同步,而是根據(jù)需求量向輸出端傳送電能。功率級換向頻率最小化,再加上禁用PFM模式下無用的內(nèi)部振蕩器,使STw4141變得更加省電,如圖5所示。 STw4141能夠自動選擇模式,無需用戶介入即可實現(xiàn)最佳的效率。
 
圖 5 效率特性
  圖 5 效率特性
 
PFM模式的使用方式取決于芯片的應用場合。因為在PFM模式下功率轉(zhuǎn)換是異步的,電磁輻射可能會 在應用敏感的頻率下產(chǎn)生頻譜噪聲。如果存在這種制約因素,那么可以使用兩種方法進行配置:PFM模式完全禁用;用戶可以覆蓋自動開關(guān),強制進入工作模式。 設(shè)計人員利用覆蓋功能可以設(shè)計一個既節(jié)能省電又無頻譜干擾的電源系統(tǒng)。在待機模式下,任務(wù)時段性完成95%過程的應用處理器是這種系統(tǒng)的一個實例,因為這 種處理器還必須在待機模式下保存數(shù)據(jù),所以可以用待機模式供電。在收到處理器喚醒信號前幾微秒內(nèi),芯片被強制進入脈寬調(diào)制模式(PWM),并且保持這種模 式一直到高級系統(tǒng)使處理器返回到睡眠模式為止。
 
附加功能
頻譜干擾是一個問題,可能存在于敏感應用中,業(yè)內(nèi)一直在研究這個現(xiàn)象。一份研究報告顯示,在實際應用中,某些頻率是應該避免的,而其它頻率并不影響整個系統(tǒng)。STw4141內(nèi)部振蕩器(考慮到它的頻譜)的頻率可能在有害頻帶內(nèi)。基于這個原因,配備了鎖 相環(huán)(PLL),允許用戶在有害頻帶以外的寬頻范圍內(nèi)同步內(nèi)部振蕩器。鎖相環(huán)還可以抑制內(nèi)置振蕩器的頻譜,使STw4141與系統(tǒng)的其它組件同步。
 
高壓輸出Vout1通常用于I/O引腳結(jié)構(gòu)(VIO),低壓輸出Vout2通常用于數(shù)字核心 (VCORE)。為了支持多種處理器,可以提供VIO電壓不同和VCORE電壓范圍1.0V到1.8V的多種產(chǎn)品。用戶可以通過專用引腳設(shè)置輸出電壓。這個功能在通過降低進入睡眠模式的應用處理器電源電壓來節(jié)省電能的應用場合十分有用。VCORE控制可以和前文提到的模式控制(PWM/PFM)配合使用, 但是兩者之間存在很大的不同:VCORE控制可降低應用處理器的功耗,而模式控制可降低芯片的功耗。兩項功能都可降低整個應用系統(tǒng)的功耗。
 
此外,STw4141具有峰值電流限制和熱保護功能,峰流限制功能不僅用于保護芯片本身,而且還限制芯片從電池汲取的電流。因為電池內(nèi)部串聯(lián)電阻的原因,從電池汲取過多的電流可能會使電池電壓產(chǎn)生很大的變化。
 
典型應用
導致STw4141降低尺寸及成本的最重要因素是只需一個外部線圈,而普通電源則需要兩個。圖6所 示是推薦的外部組件布局,這是一塊為完整應用設(shè)計的面積僅為7 x 8 mm的電路板。在這個設(shè)計中,線圈是體積最大的組件,同時節(jié)省電路板空間也正是這個組件,其次, BGA封裝也在節(jié)省電路板空間上發(fā)揮了重要作用。
 
圖6 STw4141應用電路板
  圖6 STw4141應用電路板
圖 7 典型應用
  圖 7 典型應用
STn8810多媒體應用處理器 (NOMADIK)以及STV0984 + VS6750圖像處理器和200萬像素CMOS圖像傳感器的共性是,數(shù)字核心電壓(VCORE)與I/O引腳電源電壓(VIO)的要求不同。圖7是一個 CMOS相機應用的電路示意圖,VCORE電壓(1.2 V)供給數(shù)字核心STV0984,而VIO電壓(1.8V)用于供給VS6750以及STV0984的I/O結(jié)構(gòu)。這樣的布局設(shè)計使得應用電路板的尺寸極 其緊湊。
 
 
 
    相關(guān)產(chǎn)品  
NDP6802(85V高輸入電壓LDO線性穩(wěn)壓器)
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