對于炫彩奪目的LED顯示屏來說，驅(qū)動IC更像是一位默默奉獻的“幕后英雄”，它肩負著高效率、高穩(wěn)定性、高精度、長壽命等重要使命。也正是這位“幕后英雄”，直接決定了LED顯示屏的使用體驗。集創(chuàng)北方作為LED顯示驅(qū)動領域市場占有率第一的玩家，為推動行業(yè)的發(fā)展和技術的進步，在追求產(chǎn)品極致性價比的道路上不斷探索著。近日，集創(chuàng)北方推出了最新的16路雙緩存恒流輸出LED驅(qū)動芯片ICN2028，有效提升了顯示刷新率，使性能有了更進一步的提升。
ICN2028有哪些不同？
ICN2028是一款專為LED顯示屏設計的驅(qū)動IC，采用16路恒流灌電流輸出，它集成了“Noise FreeTM”技術，具有極佳的抗干擾特性，使恒流及低灰效果不受PCB板的影響。并可選用不同的外掛電阻對輸出級電流大小進行調(diào)節(jié)，精確控制LED的發(fā)光亮度。
圖1：ICN2028方框圖。
ICN2028采用了精確電流驅(qū)動控制技術，同一芯片的不同通道間，不同芯片之間的電流差異極小。
1) 通道間電流差異<±1.3%，芯片間的電流差異<±2.5%。
2) 具有不受負載端電壓影響的電流輸出特性，如圖2所示。輸出電流將不隨LED 順向電壓VF的變化而變化。
圖2：ICN2028電流輸出特性。
ICN2028在顯示過程中(OE=0)會緩存16bit顯示數(shù)據(jù)，所以系統(tǒng)在ICN2028顯示的過程中可以再繼續(xù)存入16bit串行數(shù)據(jù)，相比通用恒流源芯片，刷新率可以提高50%以上。
ICN2028內(nèi)部采用了電流精確控制技術，可使片間誤差低于±2.5%，通道間誤差低于±1.3%。ICN2028與上一代ICN2025/26的性能對比見下表。
表1：恒流驅(qū)動ICN2025/26/28性能對比。
ICN2028在原有ICN2025的基礎上加入雙鎖存，可更好地利用數(shù)據(jù)傳輸與顯示時間的空當，有效提高了顯示的刷新率。當然，ICN2028也可以不使用雙鎖存功能，僅作為普通恒流驅(qū)動來使用。
ICN2028采用低壓工藝并內(nèi)置電壓鉗位保護電路，可以有效降低顯示時燈珠所承受的反向電壓，從而達到保護燈珠、延長燈珠使用壽命的功能。
ICN2028如何提高顯示刷新率？
通用恒流芯片在數(shù)據(jù)傳輸及數(shù)據(jù)顯示如圖3所示，數(shù)據(jù)傳輸及數(shù)據(jù)顯示利用率低的原因：
1. 當顯示一個高位數(shù)據(jù)的時候，數(shù)據(jù)顯示的時間可能會比數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r間大得多，在數(shù)據(jù)顯示多余的時間內(nèi)不能進行數(shù)據(jù)傳輸。
2．當顯示一個低位數(shù)據(jù)的時候，數(shù)據(jù)顯示的時間可能會比數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r間小得多，在數(shù)據(jù)傳輸多余的時間內(nèi)不能進行數(shù)據(jù)顯示。
圖3：通用恒流源驅(qū)動芯片數(shù)據(jù)傳送及數(shù)據(jù)顯示時序圖。
ICN2028數(shù)據(jù)傳送及數(shù)據(jù)顯示時序見圖4。data(A)和data(C)為高位數(shù)據(jù)，data(B)和data(D)高低位數(shù)據(jù)。將顯示數(shù)據(jù)高低位按時間進行組合，使顯示高位數(shù)據(jù)多余時間可以利用起來進行數(shù)據(jù)傳送，或者說利用傳數(shù)據(jù)的時間來進行高位的顯示，將傳數(shù)據(jù)和顯示數(shù)據(jù)完美的配合起來，可以有效地提高顯示刷新率，基本步驟如下：
1. 當data(A)傳送完成后，在LE上產(chǎn)生一個latch信號，鎖存data(A)
2. 完成data(A) 鎖存后，由1~>0，寄存data(A)并顯示data(A)OE
3. 在顯示data(A)的同時，對data(B)進行傳送
4. data(B)傳送完成后，由LE產(chǎn)生latch信號，鎖存data(B)，并接著傳送data(C)
5. 完成data(A)的顯示后，寄存data(B)并顯示data(B)
6. 完成data(C)的傳送，完成data(B)的顯示
7. 寄存data(C)和傳送data(D)，(同步驟1)
圖4：ICN2028數(shù)據(jù)傳送及數(shù)據(jù)顯示時序圖。
ICN2028的關鍵特性
Ø 16路恒流灌電流輸出
Ø 輸出電流設定范圍：
0.5～45mA@VDD=5V
0.5～25mA@VDD=3.3V
Ø 電流精度
通道間：±0.7%(典型值)±1.3%(最大值)
芯片間：±1.1%(典型值)±2.5%(最大值)
Ø 快速輸出電流響應（最小值）：60ns@VDD=5VOE
Ø I/O施密特觸發(fā)器觸發(fā)輸入
Ø 最大數(shù)據(jù)傳輸頻率：30MHz
Ø 芯片工作電壓：VDD=3.3～6V
Ø 工作溫度范圍：-40℃～85℃
Ø 具有極佳的抗干擾能力和低灰度效果
Ø 集成雙緩存，刷新率比通用恒流芯片提高50%以上
Ø 通道內(nèi)集成雙向鉗位保護電路，能夠有效減少燈珠的損壞 |
