Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓轉(zhuǎn)換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET®器件把高邊和低邊MOSFET組合進(jìn)小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L雙片不對(duì)稱封裝里，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ。
12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把兩顆MOSFET封裝在一個(gè)不對(duì)稱封裝里，尺寸較大的低邊MOSFET導(dǎo)通電阻較低，較小的高邊MOSFET開關(guān)速度更快，可替換性能較低的標(biāo)準(zhǔn)雙片器件，而標(biāo)準(zhǔn)器件會(huì)限制大電流、高頻率的同步降壓設(shè)計(jì)使用最優(yōu)的MOSFET組合。相比于使用分立器件，這兩顆器件占用的電路板空間更少，能實(shí)現(xiàn)更小尺寸的PCB設(shè)計(jì)。
今天發(fā)布的器件可在+175℃高溫下工作，能夠滿足信息娛樂系統(tǒng)、車載信息服務(wù)、導(dǎo)航和LED照明等汽車應(yīng)用對(duì)耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很適合總線電壓£ 8V的應(yīng)用，通道2的低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP適合電壓較高的應(yīng)用，最大導(dǎo)通電阻為3.7mΩ，稍高一些。兩顆器件都進(jìn)行了100%的柵極電阻和雪崩測(cè)試，符合RoHS，無(wú)鹵素。
器件規(guī)格表：
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產(chǎn)品編號(hào)
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SQJ202EP
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SQJ200EP
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通道
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1
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2
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1
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2
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VDS (V)
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12
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20
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RDS(ON) (W)
最大值
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@ VGS = 10 V
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0.0065
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0.0033
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0.0088
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0.0037
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@ VGS = 4.5 V
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0.0093
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0.0045
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0.0124
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0.0050
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Qg (nC)典型值
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@ VGS = 10 V
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14.5
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35.9
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12
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29
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ID(A)
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20
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60
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20
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60
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SQJ200EP和SQJ202EP現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周。 |
