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上拉電阻取值問題
文章來源: 更新時間:2016/7/30 10:54:00
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漏極開路上拉電阻取值為何不能很大或很小?

如果上拉電阻值過小,Vcc灌入端口的電流(Ic)將較大,這樣會導(dǎo)致MOS管V2(三極管)不完全導(dǎo)通(Ib*β<Ic),有飽和狀態(tài)變成放大狀態(tài),這樣端口輸出的低電平值增大(I2C協(xié)議規(guī)定,端口輸出低電平的最高允許值為0.4V)

如果上拉電阻過大,加上線上的總線電容,由于RC影響,會帶來上升時間的增大(下降延是芯片內(nèi)的晶體管,是有源驅(qū)動,速度較快;上升延是無源的外接電阻,速度慢),而且上拉電阻過大,即引起輸出阻抗的增大,當(dāng)輸出阻抗和負(fù)載的阻抗可以比擬的時,則輸出的高電平會分壓而減少。

I2C的上拉電阻可以是1.5K,2.2K,4.7K, 電阻的大小對時序有一定影響,對信號的上升時間和下降時間也有影響,一般接1.5K或2.2K

(實(shí)驗(yàn):接入200K上拉電阻,結(jié)果觀察到信號上升時間增大,方波變成三角波)

I2C上拉電阻確定有一個計算公式:

Rmin={Vdd(min)-o.4V}/3mA

Rmax=(T/0.874) *c, T=1us 100KHz, T=0.3us 400KHz

C是Bus capacitance

Rp最大值由總線最大容限(Cbmax)決定,Rp最小值由Vio與上拉驅(qū)動電流(最大取3mA)決定;

于是 Rpmin=5V/3mA≈1.7K(@Vio=5V)或者2.8V/3mA≈1K(@Vio=2.8V)

Rpmax的取值:參考周公的I2C總線規(guī)范中文版P33圖39與P35圖44

標(biāo)準(zhǔn)模式,100Kbps總線的負(fù)載最大容限<=400pF;快速模式,400Kbps總線的負(fù)載最大容限<=200pF,根據(jù)具體使用情況、目前的器件制造工藝、PCB的走線距離等因素以及標(biāo)準(zhǔn)的向下兼容性,設(shè)計中以快速模式為基礎(chǔ),即總線負(fù)載電容<200pF,也就是傳輸速度可以上到400Kbps是不成問題的。于是Rpmax可以取的范圍是1.8K~7K @ Vio=5V對應(yīng)50pF~200pF

根據(jù)Rpmin與Rpmax的限制范圍,一般取5.1K @ Vio=5V , 負(fù)載容限的環(huán)境要求也容易達(dá)到。在2.8V系統(tǒng)中,console設(shè)計選3.3K,portable/handset等低供耗的設(shè)計選4.7K犧牲速度換取電池使用時間

總的來說:電源電壓限制了上拉電阻的最小值 ; 負(fù)載電容(總線電容)限制了上拉電阻的最大值

補(bǔ)充:在I2c總線可以串連300歐姆電阻RS可以用于防止SDA和SCL線的高電壓毛刺

: I2c從設(shè)備的數(shù)量受總線電容,<=400pF的限制

上拉電阻阻值的確定

由于I2C接口采用Open Drain機(jī)制,器件本身只能輸出低電平,無法主動輸出高電平,只能通過外部上拉電阻RP將信號線拉至高電平。因此I2C總線上的上拉電阻是必須的!

RP不宜過小,一般不低于1KΩ

一般IO 端口的驅(qū)動能力在2mA~4mA量級。如果RP阻值過小,VDD灌入端口的電流將較大,這樣會導(dǎo)致MOS管不完全導(dǎo)通,有飽和狀態(tài)變成放大狀態(tài),這樣端口輸出的低電平值增大(I2C協(xié)議規(guī)定,端口輸出低電平的最高允許值為0.4V);如果灌入端口的電流過大,還可能損壞端口。故通常上拉電阻應(yīng)選取不低于1KΩ的電阻(當(dāng)VDD=3V時,灌入電流不超過3mA)。

RP不宜過大,一般不高于10KΩ

由于端口輸出高電平是通過RP實(shí)現(xiàn)的,線上電平從低到高變化時,電源通過RP對線上負(fù)載電容CL充電,這需要一定的時間,即上升時間。端口信號的上升時間可近似用充電時間常數(shù)RPCL乘積表示。

信號線負(fù)載電容(對地)由多方面組成,包括器件引腳、PCB信號線、連接器等。如果信號線上掛有多個器件,負(fù)載電容也會增大。比如總線規(guī)定,對于的400kbps速率應(yīng)用,信號上升時間應(yīng)小于300ns;假設(shè)線上CL為20PF,可計算出對應(yīng)的RP值為15KΩ。

如果RC充電時間常數(shù)過大,將使得信號上升沿變化緩慢,達(dá)不到數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊蟆?/span>

因此一般應(yīng)用中選取的都是幾KΩ量級的上拉電阻,比如都選取4K7的電阻。

小阻值的RP電阻增大了端口Sink電流,故在可能的情況下,RP取值應(yīng)稍大一點(diǎn),以減少耗電。另外,通產(chǎn)情況下,SDA,SCL兩條線上的上拉電阻取值是一致的,并上拉到同一電源上。

PCB布局布線與抗干擾設(shè)計

I2C信號線屬于低速控制線,在手機(jī)PCB設(shè)計時,按通常的控制IO對待即可,無需做特別的保護(hù)設(shè)計,一般不用擔(dān)心受到噪聲源干擾。

但在一些特定的情況下,比如折疊、滑蓋機(jī)型中,I2C的兩根信號線需要通過轉(zhuǎn)軸或滑軌處的FPC,此時由于信號路徑比較長,距離天線比較近,而且Open drain的輸出級對地阻抗大,對干擾比較敏感,因此比較容易受到RF信號源的干擾。在這種情況下,就應(yīng)適當(dāng)注意對I2C信號線的保護(hù)。比如I2C兩條信號線(SDA,SCL)等長度地平行走線,兩邊加地線進(jìn)行保護(hù),避免臨近層出現(xiàn)高速信號線等。

上拉電阻應(yīng)安置在OD輸出端附近。當(dāng)I2C總線上主從器件(Master & Slave)兩端均為OD輸出時,電阻放置在信號路徑的中間位置。當(dāng)主設(shè)備端是軟件模擬時序,而從設(shè)備是OD輸出時,應(yīng)將電阻安置在靠近從設(shè)備的位置。

I2C協(xié)議還定義了串聯(lián)在SDA、SCL線上電阻Rs。該電阻的作用是,有效抑制總線上的干擾脈沖進(jìn)入從設(shè)備,提高可靠性。這個電阻的選擇一般在100~200ohm左右。當(dāng)然,這個電阻并不是必須的,在惡劣噪聲環(huán)境中,可以選用。

比如常用的FM 接收模塊或者Capsense觸摸感應(yīng)功能塊,都是通過I2C接口控制的。I2C接口信號從處理器出發(fā),經(jīng)過PCB上的信號路徑,進(jìn)入上述電路單元。I2C信號線上載有一定干擾,這種干擾雖然幅度并不很大,但還是會影響敏感的FM接收模塊或Capsense觸摸感應(yīng)功能塊。此時,可以通過在靠近FM模塊或觸摸感應(yīng)模塊的I2C信號線上串接Rs電阻,即可有效降低干擾的影響。此外,上拉電阻端的電源也要進(jìn)行退耦處理。

軟件模擬I2C時序

由于一般的I2C應(yīng)用速率并不高(400kbps),使用處理器的IO口模擬I2C波形,完全可以勝任(處理器一般擔(dān)任Master,占有I2C通信的控制權(quán),無需擔(dān)心隨機(jī)的I2C通信服務(wù)中斷其他任務(wù)的執(zhí)行)。

處理器分配給I2C任務(wù)的IO口,要求可以輸出高低電平,還能配置為輸入端口。處理器根據(jù)總線規(guī)范以及從設(shè)備的時序要求,利用2條IO信號線,模擬I2C接口時序波形,進(jìn)行I2C通信。

處理器發(fā)送數(shù)據(jù)時,通過IO口輸出高電平,上升時間基本與外部上來電阻阻值無關(guān),且比用外部上拉電阻上拉到高電平快很多。處理器在接受數(shù)據(jù)時,即便上拉電阻阻值選的大一些,從設(shè)備輸出數(shù)據(jù)的波形上升沿緩慢,但由于處理器使用軟件采樣的而非硬件采樣,因此,對數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕Y(jié)果并不影響。也就是說,使用IO口模擬I2C時序時,上拉電阻阻值可以適當(dāng)選的大一些。

需要指出的是,使用軟件模擬最多只能完成單Master的應(yīng)用,對于多Master應(yīng)用,由于需要進(jìn)行總線控制權(quán)的仲裁管理,使用軟件模擬的方法很難完成。

I2C總線空閑的時候,兩條信號線應(yīng)該維持高電平。否則,上拉電阻上會有耗電。特別是在上電過程中,IO線上電平也應(yīng)保持在高電平狀態(tài)。也就是說:當(dāng)Master的I2C使用的是IO軟件模擬時,一定要保證該兩個IO上電默認(rèn)均為輸入(或高阻)或者輸出高電平,切不可默認(rèn)為輸出低電平。IO默認(rèn)為輸入時,可以通過外部上拉電阻將I2C信號線拉至高電平。

I2C應(yīng)用中上拉電阻電源問題

在部中分應(yīng)用中,還存在主從設(shè)備以及上拉電阻電源不一致的情況,比如Camera模組。在很多設(shè)計方案中,Camera模組不工作時,并不是進(jìn)入Power Down模式,而是直接關(guān)閉模組供電VDDS。此時,處理器與模組相互連接的所有信號線都應(yīng)該進(jìn)入高阻態(tài),否則就會有電流漏入模組;而對于此時的I2C控制信號線來說,由于上拉電阻的存在,必須關(guān)斷上拉電阻電源VDDP。如果上拉電阻使用的是系統(tǒng)電源VDDM(VDDP=VDDM),無法關(guān)閉,就會有漏電流進(jìn)入模組;因此這種情況下,應(yīng)該使用VDDS作為上拉電阻電源(VDDP=VDDS),這樣上拉電阻電源與Slave電源即可同時關(guān)閉,切斷了漏電路徑。

另外需要注意的是,在上述應(yīng)用實(shí)例中選擇的IO,應(yīng)該選取上電默認(rèn)為輸入(或高阻)才行。

 
 
 
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