功率半導體及芯片供應商AOS萬國半導體推出業(yè)界第一個單N溝道45V MOSFET：AON6152， 在10V Vgs 時Rdson可達到超低1.15mohm。
AON6152提供了極高的電源轉(zhuǎn)換效率及具有高驅(qū)動能力來降低開關功率損耗的最優(yōu)性能。此產(chǎn)品拓寬了AOS的中壓產(chǎn)品組合的應用范圍，包括AC/DC和DC/DC變換器副邊同步整流，以及工業(yè)和電機驅(qū)動的應用。
AON6152使用了AOS先進的工藝技術，作為AC/DC或DC/DC變換器的副邊同步整流，可顯著降低功耗，并最大限度地提高轉(zhuǎn)換效率。AON6152漏源擊穿電壓（BVDSS）達到45V，且具有超低的Rdson 1.15mohm。AON6152使設計工程師能夠獲得最高的效率，同時又滿足可靠的電壓余量優(yōu)化設計的要求。AON6152 封裝為DFN5x6及100%的RG和UIS雪崩測試。
AOS的MOSFET產(chǎn)品線市場總監(jiān)馮雷說：“AON6152是一個新的里程碑，該產(chǎn)品不僅簡單易用且能達到效率更高，更好的熱性能，以及更高的功率密度的性能。該產(chǎn)品可提供電源設計師設計更低溫度及提高系統(tǒng)整體可靠性產(chǎn)品的解決方案”。 |
