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| 我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)黃金期已至 |
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| 文章來源： 更新時(shí)間：2017/2/9 11:26:00 |
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2017年大陸半導(dǎo)體預(yù)料將由目前的半導(dǎo)體封測主導(dǎo)的全球分工格局逐步走向集成電路設(shè)計(jì)、集成電路制造，以及材料與設(shè)備逐步突破的方向全面發(fā)展，不但產(chǎn)業(yè)鏈趨于完整，集群效應(yīng)也開始顯現(xiàn)，等同大陸半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展即將再下一城。
2015至2020年大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模的年復(fù)合成長率將超過兩成，遠(yuǎn)高于全球平均3－5％的增幅。而隨著中國2025制造、互聯(lián)網(wǎng)＋等戰(zhàn)略實(shí)施之下，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球的市占率更將進(jìn)一步擴(kuò)大，顯示產(chǎn)業(yè)黃金發(fā)展期已至。
事實(shí)上，物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子帶來巨大的新興市場，將給予大陸半導(dǎo)體廠商更大的空間與機(jī)會，更何況大陸本身是全球最大的下游終端需求與加工市場，存在巨大的國產(chǎn)替代空間，顯然大陸相對于日本、韓國、以及中國臺灣地區(qū)的獨(dú)有優(yōu)勢，即是龐大的內(nèi)需市場。借由市場的磁吸效應(yīng)，加上提供優(yōu)渥的薪酬與其他配套福利，正不斷吸引來自于全球的技術(shù)與人才。再者，摩爾定律開始放緩，也給予大陸廠商更長的學(xué)習(xí)時(shí)間，使其與國際大廠的差距獲得縮小的機(jī)會。
除此之外，政策支持力道持續(xù)不間斷，特別是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金發(fā)揮關(guān)鍵的作用，截至2016年8月底，該基金承諾投資超過638億元人民幣，帶動社會投資超過1500億元人民幣，而投資大陸企業(yè)龍頭公司的家數(shù)達(dá)到27家，投資項(xiàng)目為37個(gè)，更重要的是，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金不僅在產(chǎn)業(yè)鏈重要環(huán)節(jié)扶植重點(diǎn)公司，也戰(zhàn)略性地引導(dǎo)差異化競爭，提高產(chǎn)業(yè)發(fā)展的效率。
在細(xì)項(xiàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面，2017至2018年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)將進(jìn)行0－1的突破，其中紫光集團(tuán)動作頻頻，2016年底宣布總額高達(dá)240億美元的投資案，計(jì)劃在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D NAND Flash廠，將由旗下的長江存儲來執(zhí)行此規(guī)劃，第一期計(jì)劃預(yù)定2018年建成啟用投產(chǎn)，2020年全部完工，每月產(chǎn)能將達(dá)到30萬片。
短期內(nèi)首要觀察的是紫光集團(tuán)的3D NAND Flash是否能順利于2018年投產(chǎn)，畢竟其技術(shù)來源是以Spansion為主，是否能由其過去在MirrorBit、SLC NAND等技術(shù)優(yōu)勢延伸至3D NAND Flash，尚需時(shí)間驗(yàn)證。
不過中長期來說，大陸在存儲器市場勢必將找到突破口，也將打破全球存儲器市場由韓國、日本、美國等業(yè)者寡占的局面。
至于2017年大陸晶圓代工的發(fā)展主軸仍將以中芯國際為重，除持續(xù)搶攻先進(jìn)制程、成熟制程、特殊制程的布局外，年產(chǎn)能大幅擴(kuò)充將是營運(yùn)的重心，中芯國際除宣布在上海廠區(qū)投資興建新的12寸集成電路生產(chǎn)線共計(jì)新增總投資近千億元人民幣之外，同時(shí)也將擴(kuò)充位于天津西青經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)8寸廠的產(chǎn)能，更將在深圳新設(shè)12寸晶圓生產(chǎn)線，顯示采取產(chǎn)能充分?jǐn)U張政策。 |
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