Navitas(音譯:納薇)半導(dǎo)體今天宣布重大技術(shù)突破，推出業(yè)界首個集成半橋氮化鎵(GaN)功率IC。半橋電路是電力電子行業(yè)的重要基礎(chǔ)，可以廣泛應(yīng)用到智能手機和筆記本充電器，電視，太陽能電池板，數(shù)據(jù)中心和電動汽車。
Navitas專有的AllGaN半橋氮化鎵(GaN)功率IC采用iDrive™單芯片技術(shù)，集成了所有半橋功能，提供高達2MHz開關(guān)速度，在提供更快充電的同時，大大減少尺寸，成本和重量。硅的半橋組件開關(guān)速度緩慢，寄生功率損耗高，開關(guān)速度比氮化鎵(GaN)慢30倍。
第一個半橋氮化鎵(GaN)功率IC產(chǎn)品是650V的NV6250，采用6x8mm QFN封裝，具有上下管驅(qū)動器，電平轉(zhuǎn)換器，兩個560mohm功率FET，自舉電路和多種保護功能。簡單數(shù)字PWM輸入信號在所有頻率下能輕松驅(qū)動半橋，為電源系統(tǒng)設(shè)計人員提供了極大的易用性和布局靈活性。 NV6250與業(yè)界IC合作伙伴的模擬和數(shù)字控制器兼容。
Navitas全球銷售和營銷副總裁Stephen Oliver說：“采用有源鉗位反激電路（Active Clamp Flyback, ACF），NV6250適合用于20W至30W的智能手機快速充電器，平板電腦，IoT，可穿戴設(shè)備等的外部適配器。我們計劃推出65W ACF 半橋氮化鎵(GaN) IC，可用在200WLLC拓?fù)渲小?/font>
Navitas首席執(zhí)行官Gene Sheridan說：“這是電力電子領(lǐng)域激動人心的時刻。高壓，高速的電力系統(tǒng)已經(jīng)現(xiàn)實可行，這將使新型的高密度，快速充電和低成本的電力系統(tǒng)成為可能。Navitas首次在2015年的APEC 展示了單芯片半橋技術(shù)，我們已經(jīng)與合作伙伴緊密合作，設(shè)計有突破性尺寸和效率的下一代適配器和充電器。我們早前宣布的AllGaN平臺的JEDEC認(rèn)證說明了氮化鎵(GaN)功率管已經(jīng)成熟和可以量產(chǎn)”
“半橋拓?fù)湓诟哳l應(yīng)用中常常遇到的困難是如何精確，快速，高效地對上管開關(guān)供電和控制�！盌elta作為全球電源設(shè)計和制造的領(lǐng)導(dǎo)者，其全球研發(fā)高級副總裁Milan M. Jovanovic博士說到“通過集成電平轉(zhuǎn)換，自舉和雙驅(qū)動這些重要功能，所有在氮化鎵(GaN)應(yīng)用中主要挑戰(zhàn)已經(jīng)解決，為MHz級高壓電源系統(tǒng)的設(shè)計鋪平了道路�！�
麻省理工電力電子研究集團（MIT Power Electronics Research Group）的領(lǐng)頭人David Perreault教授說，“麻省理工學(xué)院在研究高頻功率變換器有十多年經(jīng)驗。在許多設(shè)計中的一個關(guān)鍵技術(shù)瓶頸是驅(qū)動高端管時高速電平轉(zhuǎn)換和門極驅(qū)動的限制，隨著集成高速門極驅(qū)動的高壓氮化鎵(GaN)功率IC的推出，高速驅(qū)動在許多應(yīng)用中有巨大的潛力。恭喜Navitas！”
Navitas現(xiàn)在可以提供NV6250的樣品和樣機，NV6250計劃于2017年第二季度開始生產(chǎn)。合格的客戶請聯(lián)系Navitas。
Navitas將在2017年3月26日至30日在佛羅里達州坦帕市的應(yīng)用電力電子會議（APEC）舉辦期間展示NV6250和其他AllGaN™GaN功率IC。請致電+1 ThinkGaNIC（844-654-2642）預(yù)定展示。 |
