杭州士蘭微電子公司近期推出了內(nèi)置MOSFET的SSR反激電源管理系列芯片SDH866XQ。該系列芯片滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，待機(jī)功耗低于40mW，并且采用了自有的高壓EDMOS專(zhuān)利技術(shù)和谷底鎖定專(zhuān)利，分別實(shí)現(xiàn)高壓?jiǎn)?dòng)和降低EMI，可廣泛適用于各類(lèi)通用適配器（如機(jī)頂盒、顯示器、平板電視等）。
SDH866XQ系列芯片合封了具有專(zhuān)利技術(shù)的功率EDMOS，并采用了具有專(zhuān)利技術(shù)的高壓?jiǎn)?dòng)控制芯片，因此省略了傳統(tǒng)芯片的啟動(dòng)電阻，使得芯片待機(jī)功耗低至40mW，具有快速啟動(dòng)，輕載高效等優(yōu)點(diǎn)。由于芯片在啟動(dòng)過(guò)程中采用高壓耗盡型MOSFET進(jìn)行高壓充電，啟動(dòng)后高壓啟動(dòng)控制器控制該MOSFET關(guān)斷，相比其他高壓?jiǎn)?dòng)方式可靠性更高，更易通過(guò)雷擊浪涌測(cè)試。
此外，該系列芯片還使用了士蘭微電子自有的谷底鎖定專(zhuān)利技術(shù)，當(dāng)出現(xiàn)谷底跳變時(shí)，會(huì)根據(jù)負(fù)載選定在特定的谷底開(kāi)通MOSFET，并通過(guò)邏輯控制使它保持鎖定在這個(gè)谷底導(dǎo)通MOSFET，解決了傳統(tǒng)QR模式中谷底跳變引起的異音問(wèn)題。芯片還內(nèi)置了準(zhǔn)諧振（QR）模式，即系統(tǒng)工作于DCM時(shí)原邊高壓MOSFET在振蕩波形谷底開(kāi)通，可以降低MOSFET開(kāi)通損耗和芯片溫升，提高DCM的平均效率（0.5%左右），一致性和可靠性。
SDH866XQ系列芯片還使用多項(xiàng)技術(shù)，如：
Ø 抖頻控制技術(shù)：在系統(tǒng)工作于CCM或QR模式時(shí)采用不同的抖頻策略，優(yōu)化抖頻控制，有效的降低了系統(tǒng)EMI噪聲。以12V/1.25A整機(jī)為例，QR模式下，采用優(yōu)化抖頻后的SDH8664Q比無(wú)抖頻IC的傳導(dǎo)噪聲低5dB左右。
Ø 低壓升頻技術(shù)：減小了變壓器體積，并改善了高低壓OCP一致性
Ø VCC HOLD功能：可以防止輕載或動(dòng)態(tài)切換時(shí)芯片欠壓重啟
Ø 完善的保護(hù)功能：包括VCC OVP, OCP, OTP, Brown-Out, 輸入OVP，輸出OVP，原邊電流采樣電阻短路保護(hù)，輸出短路保護(hù)，副邊整流管短路保護(hù)等
另外，SDH866XQ采用了外置原邊電流采樣電阻，以改善峰值輸出功率的離散性，同時(shí)也便于調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸出功率，可用同一顆IC實(shí)現(xiàn)系列機(jī)型設(shè)計(jì)。
該系列芯片SDH8663/4/5/6Q, 采用DIP8/TO252-5L封裝，可以滿足12W-36W功率范圍，具體參數(shù)如下表示：
DEMO測(cè)試情況如下表所示：
小型充電設(shè)備今后的發(fā)展趨勢(shì)是更低的低待機(jī)功耗和更高的能量轉(zhuǎn)換效率，士蘭微電子將持續(xù)在該領(lǐng)域投入研發(fā)力量，不斷推出新品。 |
