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意法半導(dǎo)體的 PWD13F60系統(tǒng)封裝(SiP)產(chǎn)品在一個(gè)13mm x 11mm的封裝內(nèi)集成一個(gè)完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路，能夠?yàn)楣�業(yè)電機(jī)驅(qū)控制器、燈具鎮(zhèn)流器、電源、功率轉(zhuǎn)換器和逆變器廠家節(jié)省物料成本和電路板空間。

不僅比采用分立器件設(shè)計(jì)的類似全橋電路節(jié)省電路板空間60%，PWD13F60還能提升最終應(yīng)用的功率密度。市場(chǎng)上在售的全橋模塊通常是雙FET半橋或六顆FET三相產(chǎn)品，而PWD13F60則集成四顆功率MOSFET，是一個(gè)能效特別高的替代方案。與這些產(chǎn)品不同，只用一個(gè)PWD13F60即可完成一個(gè)單相全橋設(shè)計(jì)，這讓內(nèi)部MOSFET管沒有一個(gè)被閑置。新全橋模塊可靈活地配置成一個(gè)全橋或兩個(gè)半橋。

利用意法半導(dǎo)體的高壓 BCD6s-Offline制造工藝，PWD13F60集成了功率 MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器和上橋臂驅(qū)動(dòng)自舉二極管，這樣設(shè)計(jì)的好處是簡(jiǎn)化電路板設(shè)計(jì)，精簡(jiǎn)組裝過程，節(jié)省外部元器件。柵驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過優(yōu)化改進(jìn)，取得了高開關(guān)可靠性和低EMI(電磁干擾)。該系統(tǒng)封裝還有交叉導(dǎo)通防護(hù)和欠壓鎖保護(hù)功能，有助于進(jìn)一步降低占位面積，同時(shí)確保系統(tǒng)安全。

PWD13F60的其它特性包括低至6.5V的寬工作電壓，配置靈活性和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性得到最大限度提升。此外，新系統(tǒng)封裝輸入引腳還接受 3.3V-15V邏輯信號(hào)，連接微控制器(MCU)、數(shù)字處理器(DSP)或霍爾傳感器十分容易。

PWD13F60即日上市，采用高散熱效率的多基島VFQFPN封裝。

按照新摩爾定律(MtM)多元化設(shè)想，意法半導(dǎo)體正在推動(dòng)其BCD (集成雙極-CMOS-DMOS)工藝向高電壓、高功率和高密度三個(gè)方向發(fā)展。BCD6s-Offline是一項(xiàng)0.32µm高壓制造工藝，另外兩個(gè)高壓技術(shù) 是 BCD6s-SOI 和 0.16µm BCD8s-SOI，而BCD8sP和 0.11µm BCD9s是高密度制造工藝。憑借其BCD制造技術(shù)組合以及系統(tǒng)封裝(SiP)技術(shù)專長(zhǎng)（另一項(xiàng)MtM技術(shù)，在同一個(gè)封裝內(nèi)疊放或平鋪多顆裸片），意法半導(dǎo)體有能力提升產(chǎn)品性能，縮短新產(chǎn)品研發(fā)周期，按照智能功率應(yīng)用的需求提供特定的功能。高度優(yōu)化、尺寸緊湊的PWD13F60是意法半導(dǎo)體利用其在 MtM技術(shù)上的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)開發(fā)出來(lái)的最新產(chǎn)品。