有充分的理由說(shuō)無(wú)刷直流電機(jī)絕對(duì)是電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中最酷的一款產(chǎn)品。您可以獲得更高的效率、功率和扭矩,更低的噪音、電磁干擾(EMI)及振動(dòng),更長(zhǎng)的電池及電機(jī)壽命,更快的速度,更好的產(chǎn)品,更多的驚喜、樂(lè)趣和朋友,更好看的外觀以及無(wú)數(shù)追隨者的崇拜。這份清單使我可能已經(jīng)漸漸陷于自己的希望和夢(mèng)想(見(jiàn)圖1),因此我只能說(shuō)“結(jié)果可能會(huì)各不相同”。
圖1:無(wú)刷DC:希望和夢(mèng)想的支持者
無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的樂(lè)趣在于算法。您可以實(shí)現(xiàn)有傳感器或無(wú)傳感器監(jiān)控、梯形或正弦控制、磁場(chǎng)定向控制(FOC)或換向?蛇x方案和烹飪雞蛋的方法一樣多——但事實(shí)上,只有十種真正稱得上是獨(dú)特的(其他方法只是做了一個(gè)小小的變化)。但是我現(xiàn)在不打算談?wù)?/font>這些。我將要討論“步驟零”:為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)硬件。在這一步,您隨時(shí)可離開(kāi)。圖2所示為我對(duì)此現(xiàn)象的印象。
圖2:舒適度隨著電壓水平和模擬內(nèi)容線性下降
對(duì)于其余六個(gè)讀卡器,許多無(wú)刷直流電機(jī)系統(tǒng)旨在追求高功率和高效率,這意味著最好的實(shí)現(xiàn)方式是用分立式MOSFET控制柵極驅(qū)動(dòng)器的微控制器(MCU)。在您測(cè)試出最佳的速度環(huán)路算法來(lái)控制您的電機(jī)之前,您只需將MCU的智能與MOSFET的原始電流驅(qū)動(dòng)能力連接即可。柵極驅(qū)動(dòng)器充當(dāng)MCU的邏輯域與MOSFET和電動(dòng)機(jī)的功率域之間的轉(zhuǎn)換器。有兩種可以實(shí)現(xiàn)這種轉(zhuǎn)換器的架構(gòu):分立式柵極驅(qū)動(dòng)器和集成式柵極驅(qū)動(dòng)器。有很多原因說(shuō)服你任選其一。分立式驅(qū)動(dòng)器提供最高的電源電壓支持和最優(yōu)的性能,但需要更多的組件并且缺乏保護(hù)功能。集成式驅(qū)動(dòng)器為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器提供更具針對(duì)性的解決方案,但不會(huì)為您提供電壓支持或分立式柵極驅(qū)動(dòng)器的超高性能。除在一個(gè)芯片上使用三個(gè)分立式柵極驅(qū)動(dòng)器外,像DRV8320這樣的集成式驅(qū)動(dòng)器還可以提供附加功能,如柵極驅(qū)動(dòng)電源、感應(yīng)放大器、功率器件或集成式柵極驅(qū)動(dòng)無(wú)源器件。剛剛略讀上述段落的讀者可以看下表1。
表 1: 分立式柵極驅(qū)動(dòng)器與集成式柵極驅(qū)動(dòng)器;表中的細(xì)節(jié)比段落細(xì)節(jié)更多!
在本系列的第2部分中,我將創(chuàng)建并展示分立驅(qū)動(dòng)器和集成驅(qū)動(dòng)器之間的原理圖和布局差異,以檢測(cè)我落實(shí)原理圖和布局的能力。
進(jìn)入這一部分之前,讓我們回顧一下第1部分:
無(wú)刷直流電機(jī)很酷(可以幫您結(jié)交朋友)。
沒(méi)有人喜歡談?wù)搶?shí)際的硬件(但是我打算這么做)。
分立式和集成式柵極驅(qū)動(dòng)器各有優(yōu)缺點(diǎn)。
我可以整天談?wù)摴δ芎蛢?yōu)點(diǎn),但工程師想看的是一些真正的電路。在這篇博文中,我將直接比較分立式和集成式柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu),展示兩者的電路板級(jí)差異。
原理圖和布局比較的兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)是組件數(shù)量和解決方案尺寸。第一個(gè)度量標(biāo)準(zhǔn)是: 元件數(shù)量。這在原理圖完成后可以相對(duì)容易地找到。然而,解決方案尺寸的估算更加復(fù)雜。我經(jīng)常看到在集成電路元件尺寸上簡(jiǎn)單標(biāo)注的解決方案尺寸。但是我發(fā)現(xiàn)這其實(shí)非常不準(zhǔn)確,因?yàn)樗⑽纯紤]外部元件、元件與電路板上的布線之間需要的間隙。
我在本地設(shè)計(jì)軟件上花費(fèi)了一些時(shí)間,為無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)建分立式和集成式柵極驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)的并行原理圖和布局。我選擇了TI一款分立式柵極驅(qū)動(dòng)器和DRV8320作為我的集成式柵極驅(qū)動(dòng)器。另外,我使用了NexFET™功率MOSFET 的標(biāo)準(zhǔn)QFN封裝。雖然這種設(shè)計(jì)恰好使用標(biāo)準(zhǔn)分立式FET,但TI最近推出了兩款可用于此應(yīng)用的垂直集成的半橋式電源塊,節(jié)省了更多的設(shè)計(jì)空間。這個(gè)運(yùn)用使我因自己貧乏的電路圖和布局技巧倍感壓力,但是我希望這些圖片對(duì)那些想要比較這兩種無(wú)刷直流架構(gòu)的人有所幫助。
表1:分立式柵極驅(qū)動(dòng)器與集成式柵極驅(qū)動(dòng)器
這個(gè)看似速效的項(xiàng)目注入了很多設(shè)計(jì)和想法。從上面可以猜到,為簡(jiǎn)化瀏覽,我決定創(chuàng)建一個(gè)沒(méi)有內(nèi)層的雙層電路板。不過(guò),這意味著在布局上需要投入更多心思。同樣,分立式柵極驅(qū)動(dòng)器上的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)置組件和集成式柵極驅(qū)動(dòng)器上的IDRIVE引腳組件需要進(jìn)行調(diào)整,以便從外部FET獲得可接受的上升和下降次數(shù)。布局部分還有許多小的調(diào)整,以便實(shí)現(xiàn)兩種解決方案的最小尺寸。