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TPHR7904PB/TPH1R104PB 采用新型封裝的汽車用40V N溝道功率MOSFET
文章來(lái)源：永阜康科技 更新時(shí)間：2018/4/20 9:53:00
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采用小型低電阻封裝，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款采用小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的新MOSFET產(chǎn)品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”，這兩款產(chǎn)品是汽車用40V N溝道功率MOSFET系列的最新產(chǎn)品。批量生產(chǎn)即日啟動(dòng)。

這兩款新MOSFET產(chǎn)品采用最新第九代U-MOS IX-H溝槽工藝制造，采用小型低電阻封裝，具備低導(dǎo)通電阻，因此有助于降低導(dǎo)通損耗。與東芝上一代設(shè)計(jì)(U-MOS IV)相比，U-MOS IX-H設(shè)計(jì)還實(shí)現(xiàn)了更低的開關(guān)噪聲，有助于降低EMI（電磁干擾）。

SOP Advance (WF)封裝采用“可沾錫側(cè)翼”(wettable flank)端子結(jié)構(gòu)，支持在焊接之后進(jìn)行自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)

應(yīng)用場(chǎng)合

  • 電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)
  • 負(fù)載開關(guān)
  • 電動(dòng)泵

特點(diǎn)

  • 由于采用U-MOS IX-H工藝和SOP Advance(WF)封裝，實(shí)現(xiàn)了0.79mΩ的最大導(dǎo)通電阻（RDS(ON)最大值）。
  • 低噪音特性降低了電磁干擾(EMI)。
  • 采用可沾錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，支持小型低電阻封裝。

 

主要規(guī)格

（除非另作說(shuō)明，@Ta=25°C）

 

產(chǎn)品型號(hào)

 

漏源極
電壓
VDSS
(V)

 

漏極
電流
（直流）
ID
(A)

 

漏源極
導(dǎo)通電阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

 

柵源極
之間
內(nèi)置
穩(wěn)壓二極管

 

系列
     

@VGS=6V

 

@VGS=10V

    

TPH1R104PB

  

40

  

120

  

1.96

  

1.14

  

否

  

U-MOS IX

TPHR7904PB

 

 

150

 

1.3

 

0.79

 

否

 

U-MOS IX
 
 
 
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