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安森美半導體推出首批具有近紅外+(NIR +)的高分辨率圖像傳感器,以提升夜視功能
文章來源:永阜康科技 更新時間:2018/4/26 10:50:00
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推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON) 推出首批采用近紅外+(NIR +)技術的CMOS圖像傳感器,該技術有效地將高動態(tài)范圍(HDR)與增強的微光性能相結合,以使能高端安防與監(jiān)控相機。

AR0522是一款1/2.5英寸510萬像素(MP)圖像傳感器,基于一個2.2微米(um)背照式(BSI)像素技術平臺,專為在微光條件下需要高分辨率、高質(zhì)量視頻捕獲的工業(yè)應用而開發(fā)。AR0522圖像傳感器提供的近紅外波長的靈敏度大概是現(xiàn)有的AR0521圖像傳感器的兩倍。

AR0431是一款1/3.2英寸400萬像素傳感器,基于一個2.0 um 背照式像素技術平臺。它能夠提供通用的低能耗模式和一個高達120fps的幀速率,非常適合需要慢速運動視頻捕獲的應用。它的低運作能耗使其成為池供電的安防相機、動作/運動相機、車載DVR和一般監(jiān)控相機的理想選擇。

安森美半導體開發(fā)NIR +技術,以提高近紅外區(qū)域內(nèi)傳感器的量子效率(QE),而無需犧牲可見光譜中的色彩保真度。通過這一技術,安防相機可在更低的電壓下,在物料單(BOM)上使用更少的紅外(IR) LED,且仍能在微光和近紅外條件下實現(xiàn)高質(zhì)量圖像。

安森美半導體圖像傳感器消費方案分部副總裁兼總經(jīng)理Gianluca Colli表示:“AR0522和AR0431所采用的NIR +技術和背照式像素平臺真正實現(xiàn)了卓越的圖像質(zhì)量和微光性能,即使在極具挑戰(zhàn)的光照條件下也能獲得更明亮、更清晰的圖像!

供貨


安森美半導體現(xiàn)提供AR0522工程樣品,采用12mm x 12mm mPLCC封裝,計劃于2018年5月量產(chǎn)。

AR0431的工程樣品將于2018年4月推出,采用10mm x 10mm mPLCC封裝,計劃于2018年7月量產(chǎn)。

 
 
 
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