新器件進一步提高電源效率
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于數(shù)據(jù)中心服務器電源、太陽能(PV)功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)和其他工業(yè)應用。
TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件，是一款支持高達57A連續(xù)漏極電流(ID)的650V器件，而出現(xiàn)脈沖電流(IDP)時，可支持高達228A的連續(xù)漏極電流。該款新器件提供0.04Ω（0.033Ω典型值）超低漏源極導通電阻RDS(ON)，可有效減少電源應用中的損耗。得益于更低的電容設計，該款增強型器件成為現(xiàn)代高速電源應用的理想之選。
關(guān)鍵性能指標/品質(zhì)因數(shù)(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得電源效率得到提高。與上一代DTMOS IV-H器件相比，TK040N65Z的這一重要指標提升40%，這意味著電源效率顯著提高，據(jù)測量，2.5kW PFC電路中電源效率提高大約0.36%[1]。
該款新器件采用業(yè)界標準的TO-247封裝，既實現(xiàn)了與舊版設計的兼容性，也適用于新項目。
為滿足市場需求，東芝將繼續(xù)擴大其產(chǎn)品陣容并幫助提高電源和電源系統(tǒng)的效率。
該款新器件的批量生產(chǎn)和出貨即日啟動。
應用場合
- 數(shù)據(jù)中心（服務器電源等）
- 光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器
- 不間斷電源系統(tǒng)
特點
- RDS(ON) × Qgd降低，支持開關(guān)電源提高效率
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主要規(guī)格
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(@Ta=25oC)
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產(chǎn)品型號
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封裝
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絕對最大額定值
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漏源極導通電阻
RDS(ON)最大值
@VGS=10 V
(Ω)
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總柵極電荷
Qg典型值
(nC)
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柵漏電荷
Qgd
典型值
(nC)
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輸入電容
Ciss
典型值
(pF)
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上一代系列
(DTMOS IV-H)
產(chǎn)品
型號
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庫存查詢與購買
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漏源極電壓
VDSS(V)
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漏極電流（直流）
ID(A)
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TK040N65Z
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TO-247
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650
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57
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0.040
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105
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27
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6250
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TK62N60X
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注：
[1] 截至2018年6月，東芝測量值（2.5kW PFC電路@輸出功率=2.5kW）。
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