1~2節(jié)鋰電池開關(guān)型充電芯片VAS5175A
應(yīng)用場景：
降壓型1~2節(jié)鋰電池充電
特點：
●1MHz同步降壓
●可編程（最大2A）恒流充電
●高達(dá)93%的效率
●雙LED充電指示
●溫度補償、過溫度保護(hù)
●電池短路保護(hù)
●電池溫度檢測、異常保護(hù)
●高精度
■ ±1% 電池電壓(CV)
■ ±10% 充電電流(CC)
VAS5175A雙節(jié)串聯(lián)鋰電池充電
注：
1. 雙節(jié)充電設(shè)置：CELL引腳浮空。
2. 輸入使用肖特基二極管做防逆灌。
3. 充電電流等于30mV/RSNS，例如：RSNS=20mΩ，充電電流=30mV/20mΩ=1.5A。
4. LX須使用RC減震線路；LX對GND使用肖特基續(xù)流二極管可以提升3%以上效率。
5. VIN 9.0~12V，輸入電解可以不使用；VIN>12V，須放置一顆100uF的電解電容來吸收電源插入時的浪涌
與突破。
6. TS需加0.1uF的濾波電容,消除TS浮空或純電阻下拔插產(chǎn)生雜訊所導(dǎo)致的誤動作。TS接地可屏蔽NTC功能。
7. 充電RLED/BLED為ON/OFF；充飽或電池未接時RLED/BLED為OFF/ON；溫度異�；螂姵囟搪窌rLED交互閃爍。
8. 充飽后, BLED轉(zhuǎn)為ON, 開始36分鐘的背景涓充,計時完畢后停止充電。
9. 自帶熱反饋調(diào)節(jié), IC EP要接PCB地鋪銅。
VAS5175A單節(jié)鋰電池充電
注：
1. 單節(jié)充電設(shè)置：CELL引腳接GND。
2. VIN<5.5V時，輸入使用PMOS防逆灌；VIN>5.5V時，輸入可以使用肖特基防逆灌（參考典型應(yīng)用一）
3. 充電電流等于30mV/RSNS，例如：RSNS=20mΩ，充電電流=30mV/20mΩ=1.5A。
4. LX須使用RC減震線路；LX對GND使用肖特基續(xù)流二極管可以提升3%以上效率。
5. VIN 9.0~12V，輸入電解可以不使用；VIN>12V，須放置一顆100uF的電解電容來吸收電源插入時的浪涌
與突破。
6. TS需加0.1uF的濾波電容,消除TS浮空或純電阻下拔插產(chǎn)生雜訊所導(dǎo)致的誤動作。TS接地可屏蔽NTC功能。
7. 充電RLED/BLED為ON/OFF；充飽或電池未接時RLED/BLED為OFF/ON；溫度異�；螂姵囟搪窌rLED交互閃爍。
8. 充飽后, BLED轉(zhuǎn)為ON, 開始36分鐘的背景涓充,計時完畢后停止充電。
9. 自帶熱反饋調(diào)節(jié), IC EP要接PCB地鋪銅。
雙面面玻纖板設(shè)計
1. 紅色為電流路徑，請增大走線。
2. IC的EP須與底層GND相連。
3. 輸入1uF+0.1uF（C4+C3）的Cap起穩(wěn)壓及濾波作用，布板時盡量靠近IC,并且GND端要與IC的GND（底部焊盤）以最短距離相連。特別注意：如此點未處理好，會導(dǎo)致工作異常或數(shù)據(jù)跑偏。
4. BS的Cap（C2），要盡量靠近IC，走線不宜過長。
5. CS、BAT的直接從RSNS（R3）兩端采樣，避免走線帶來的阻抗導(dǎo)致電流的偏移。
6. CS、BAT前的兩顆0.1uF的濾波電容（C5+C6），布板時盡量靠近IC，兩顆電容需要共地，并且GND端要與IC的GND（底部焊盤）以最短距離相連。
7. 輸入與輸出的電解電容，要更好的達(dá)到效果，電流路徑必須經(jīng)過此電解電容，如圖C1A、C8A所示。
單面玻纖板設(shè)計
1. 紅色為電流路徑，請增大走線。
2. 藍(lán)色為GND路徑，請嚴(yán)格按照此路走線。
3. 如果充電電流大于1A，為了避免輸入GND走線過細(xì)的問題，C2可以換成插件使用在BS與LX之間，以增加輸入GND的延續(xù)性。
4. 輸入1uF+0.1uF（C4+C3）的Cap起穩(wěn)壓及濾波作用，布板時盡量靠近IC，并且GND端要與IC的GND（底部焊盤）以最短距離相連。特別注意：如此點未處理好，會導(dǎo)致工作異�；驍�(shù)據(jù)跑偏。
5. BS的Cap（C2），要盡量靠近IC，走線不宜過長。
6. CS、BAT的直接從RSNS（R3）兩端采樣，避免走線帶來的阻抗導(dǎo)致電流的偏移。
7. CS、BAT前的兩顆0.1uF的濾波電容（C5+C6），布板時盡量靠近IC,兩顆電容需要共地，并且GND端要與IC的GND（底部焊盤）以最短距離相連。
8. 輸入與輸出的電解電容，要更好的達(dá)到效果，電流路徑必須經(jīng)過此電解電容，如圖C1A、C8A所示。 |
