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| 東芝存儲(chǔ)器公司推出面向嵌入式應(yīng)用的新型NAND閃存產(chǎn)品，以支持高速數(shù)據(jù)傳輸 |
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| 文章來源：永阜康科技 更新時(shí)間：2019/9/29 9:40:00 |
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新加入到產(chǎn)品陣容中的第二代串行接口NAND產(chǎn)品具有更高的性能和容量
全球存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者東芝存儲(chǔ)器公司(Toshiba Memory Corporation)今日宣布，該公司已推出其第二代NAND閃存產(chǎn)品系列，這些產(chǎn)品具有更高的性能和容量[1]，適用于嵌入式應(yīng)用，可支持高速數(shù)據(jù)傳輸。新推出的串行接口NAND產(chǎn)品與廣泛使用的串行外圍設(shè)備接口(SPI)兼容，適用于各種消費(fèi)、工業(yè)和通信應(yīng)用。樣品于即日起出貨，計(jì)劃從10月開始量產(chǎn)。
隨著器件在物聯(lián)網(wǎng)和通信應(yīng)用中的體積逐漸縮小，對(duì)小型封裝的大容量閃存的需求則日益增長(zhǎng)，而小型封裝能夠以低引腳數(shù)量處理高速數(shù)據(jù)傳輸。由于與廣泛使用的SPI兼容，這些串行接口NAND產(chǎn)品可以用作低引腳數(shù)、小型封裝和大容量的SLC NAND閃存產(chǎn)品。
為了能夠支持高速數(shù)據(jù)傳輸，新的第二代串行接口NAND產(chǎn)品提供高于現(xiàn)有第一代產(chǎn)品[1]的性能，包括133兆赫(MHz)的工作頻率和程序x4模式。此外，該系列還增加了8Gb（1千兆字節(jié)）[2]器件，以滿足對(duì)更大存儲(chǔ)容量的需求。
新產(chǎn)品概況
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產(chǎn)品名稱
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容量
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輸入/輸出
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電壓
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封裝
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量產(chǎn)時(shí)間
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TC58CVG0S3HRAIJ
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1Gb
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1倍、2倍、4倍
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3.3V
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8引腳
WSON[3]
(6mm x 8mm)
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2019年10月
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TC58CYG0S3HRAIJ
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1.8V
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2019年10月
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TC58CVG1S3HRAIJ
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2Gb
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3.3V
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2019年10月
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TC58CYG1S3HRAIJ
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1.8V
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2019年10月
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TC58CVG2S0HRAIJ
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4Gb
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3.3V
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2019年10月
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TC58CYG2S0HRAIJ
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1.8V
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2019年10月
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TH58CVG3S0HRAIJ
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8Gb
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3.3V
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2019年12月
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TH58CYG3S0HRAIJ
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1.8V
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2019年12月
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主要特點(diǎn)
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容量
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1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb
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分頁大小
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2KByte (1Gb, 2Gb)，4KByte (4Gb, 8Gb)
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接口
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串行外圍設(shè)備接口,型號(hào)0，型號(hào)3
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供電電壓
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2.7至3.6V，1.7至1.95V
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工作溫度范圍
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-40 oC至85 oC
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特性
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• 133MHz工作頻率
• 程序 / 讀取4種模式
• 高速順序讀取功能
• ECC功能（開/關(guān)，位翻轉(zhuǎn)計(jì)數(shù)報(bào)告）
• 數(shù)據(jù)保護(hù)功能（能夠保護(hù)特定的塊）
• 參數(shù)頁面功能（能夠在器件上輸出詳細(xì)的信息）
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您可能對(duì)以下產(chǎn)品感興趣 |
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| 產(chǎn)品型號(hào) |
功能介紹 |
兼容型號(hào) |
封裝形式 |
工作電壓 |
備注 |
| CS8676 |
2X20W/12V/4Ω或33W/16V/4Ω |
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ESOP-16 |
5V-18V |
擴(kuò)頻功能,低空載電流,40倍增益,免濾波,2X20W&33W(PBTL) D類音頻放大器 |
| CS5090 |
CS5090E是一款5V輸入,最大1.5A充電電流,支持雙節(jié)鋰電池串聯(lián)應(yīng) 用,鋰離子電池的升壓充電管理IC.CS5090E集成功率MOS,采用異步開關(guān)架構(gòu)，使其在應(yīng)用時(shí)僅需極少的外圍器件，可有效減少整體方案 尺寸，降低BOM成本 。 |
CS5080/CS5082 |
ESOP-8 |
4.5V-6.5V |
5V USB輸入,最大1.5A充電電流,帶NTC,雙節(jié)鋰電升壓充電管理電路 |
| HT7166 |
輸入電壓范圍VIN：2.7V-13V;輸出電壓范圍VOUT：4.5V-13V;內(nèi)部固定峰值電流：10A
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ESOP-8 |
2.7V-13V |
ESOP-8帶輸出關(guān)斷的13V、10A同步升壓IC |
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