開關(guān)調(diào)節(jié)器中的快速開關(guān)瞬變是有利的，因為這顯著降低了開關(guān)模式電源中的開關(guān)損耗。尤其是在高開關(guān)頻率時，可以大幅提高開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率。但是，快速開關(guān)轉(zhuǎn)換也會帶來一些負(fù)面影響。開關(guān)轉(zhuǎn)換頻率在 20 MHz 和 200 MHz 之間時，干擾會急劇增加。這就使得開關(guān)模式電源開發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi)，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI 公司提出了創(chuàng)新的 Silent Switcher?技術(shù)，即使是極快的開關(guān)邊沿，也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。
圖1.對開關(guān)模式電源進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換，在開關(guān)節(jié)點處施加輸入電壓。
圖1顯示了快速和慢速開關(guān)轉(zhuǎn)換�？焖匍_關(guān)轉(zhuǎn)換會給鄰近電路段產(chǎn)生更強(qiáng)的干擾耦合。存在電壓突變的PCB走線可與具有高阻抗的鄰近走線產(chǎn)生容性耦合。存在電流突變的 PCB 走線可與鄰近走線產(chǎn)生電感耦合。通過減慢開關(guān)轉(zhuǎn)換，可將這些影響降至最低。圖 2 顯示了一種經(jīng)驗證適用于異步開關(guān)調(diào)節(jié)器的技術(shù)。此處，兩個開關(guān)中的一個使用了肖特基二極管。將電阻與自舉電容 CBOOT（提供高端邊 n 溝道 MOSFET 的柵極電壓）串聯(lián)，可減慢開關(guān)的開關(guān)轉(zhuǎn)換。當(dāng)無法直接調(diào)整功率 MOSFET 的柵極信號線時，此技巧可用于集成開關(guān)調(diào)節(jié)器。如果將開關(guān)控制器與外部 MOSFET 配合使用，也可將電阻插入柵極驅(qū)動走線中。電阻值通常小于 100 Ω。
圖 2. 使用自舉電阻減慢異步降壓轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)轉(zhuǎn)換。
但是，大多數(shù)現(xiàn)代開關(guān)調(diào)節(jié)器都是具有高邊和低邊有源開關(guān)的同步開關(guān)調(diào)節(jié)器。此處，在 CBOOT 路徑中使用電阻無法明顯減慢開關(guān)轉(zhuǎn)換。如果此處還是使用與 CBOOT 并串聯(lián)的電阻（如圖 3 所示），則也將減慢高邊開關(guān)的開關(guān)轉(zhuǎn)換。但是，這可能導(dǎo)致低邊開關(guān)沒有完全關(guān)閉。因此，高端邊開關(guān)和低邊開關(guān)可能同時瞬間打開。這將導(dǎo)致輸入電壓到接地之間出現(xiàn)破壞性短路。這一點尤為關(guān)鍵，因為開關(guān)轉(zhuǎn)換速度也受到工作溫度等參數(shù)和半導(dǎo)體制造中的可變性的影響。因此，即使是在實驗室測試，也無法保證安全操作。要減慢具有集成開關(guān)的同步開關(guān)調(diào)節(jié)器的開關(guān)轉(zhuǎn)換，應(yīng)使用可通過內(nèi)部電路直接設(shè)置開關(guān)轉(zhuǎn)換速度的同步開關(guān)調(diào)節(jié)器。例如 ADI 公司的 ADP5014。在這些集成電路中，可在內(nèi)部確保：在減慢開關(guān)轉(zhuǎn)換時，兩個開關(guān)不同時導(dǎo)通，因此也不會發(fā)生短路，并且在 CBOOT 路徑中都沒有電阻。
圖 3. 由于高端開關(guān)轉(zhuǎn)換減慢而可能短路的同步降壓轉(zhuǎn)換器。
關(guān)于快速開關(guān)轉(zhuǎn)換，近年來有一個非常重要的創(chuàng)新不容忽視。ADI 公司的 Silent Switcher 技術(shù)使快速開關(guān)邊沿的電磁輻射大幅降低，高達(dá) 40 dB（10，000 倍）。因此，可開發(fā)出具有超快邊沿且僅有最小 EMC 問題的開關(guān)模式電源。在大多數(shù)情況下，Silent Switcher 器件無需為了減少 EMI 而降低開關(guān)轉(zhuǎn)換速度。通過 Silent Switcher 技術(shù)，在很大程度上消除了在最大轉(zhuǎn)換效率和最小電磁干擾之間進(jìn)行權(quán)衡的難題。
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