東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預(yù)驅(qū)動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動光耦內(nèi)置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實(shí)現(xiàn)過流檢測。產(chǎn)品于今日起開始出貨。
TLP5231產(chǎn)品示意圖
新型預(yù)驅(qū)動光耦使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。
目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構(gòu)成的緩沖電路來實(shí)現(xiàn)電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠使用外部互補(bǔ)MOSFET緩沖器，僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時(shí)消耗電流，有助于降低功耗。
通過改變外部互補(bǔ)MOSFET緩沖器的大小，TLP5231能夠?yàn)楦鞣NIGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT／MOSFET的配置可用作平臺來滿足系統(tǒng)的功率需求，從而簡化設(shè)計(jì)。
其他功能包括：在檢測到VCE(sat)過流后使用另一個(gè)外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關(guān)斷時(shí)間”；另外，除了能通過監(jiān)控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外，還有UVLO[3]檢測，將任意故障信號輸出到一次側(cè)。以上這些現(xiàn)有產(chǎn)品[2]不具備的新特性，能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動電路。
應(yīng)用：
• IGBT與功率MOSFET柵極驅(qū)動（預(yù)驅(qū)動）
• 交流電機(jī)和直流無刷電機(jī)控制
• 工業(yè)逆變器與不間斷電源（UPS）
• 光伏（PV）電源調(diào)節(jié)系統(tǒng)
特性：
• 內(nèi)置有源時(shí)序控制的雙輸出，適用于驅(qū)動P溝道和N溝道互補(bǔ)MOSFET緩沖器。
• 當(dāng)檢測到過流時(shí)，通過使用另一個(gè)外部N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)可配置柵極軟關(guān)斷時(shí)間。
• 當(dāng)監(jiān)控集電極電壓檢測到過流時(shí)或UVLO時(shí)，故障信號會輸出到一次側(cè)。
主要規(guī)格：
（除非另有說明，@Ta＝-40至110℃，典型值@Ta＝25℃）
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器件型號
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TLP5231
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絕對最大額定值
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峰值高電平輸出電流IOPH（A）
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-2.5
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峰值低電平輸出電流IOPL（A）
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+2.5
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電氣特性
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VOUTP高電平輸出電流IOUTPH最大值（A）
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-1.0
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VOUTP低電平輸出電流IOUTPL最小值（A）
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1.0
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VOUTN高電平輸出電流IOUTNH最大值（A）
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-1.0
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VOUTN低電平輸出電流IOUTNL最小值（A）
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1.0
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高電平供電電流（VCC2）ICC2H最大值（mA）
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10.2
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低電平供電電流（VCC2）ICC2L最大值（mA）
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10.2
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高電平供電電流（VEE）IEEH最小值（mA）
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-9.2
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低電平供電電流（VEE）IEEL最小值（mA）
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-9.2
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閾值輸入電流（H／L）IFHL最大值（mA）
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3.5
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建議工作條件
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總輸出供電電壓（VCC2-VEE）（V）
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21.5至30
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負(fù)輸出供電電壓（VE-VEE）（V）
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6.5至15
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正輸出供電電壓（VCC2-VE）（V）
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15至23.5
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開關(guān)特性
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傳播延遲時(shí)間（L／H）tpLH（ns）
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100至300
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傳播延遲時(shí)間（H／L）tpHL（ns）
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100至300
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傳播延遲偏差（器件到器件）tpsk（ns）
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-200至200
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高電平共模瞬態(tài)抑制
CMH最小值（kV/μs）
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±25
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高電平共模瞬態(tài)抑制
CML最小值（kV/μs）
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±25
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功能
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保護(hù)功能
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IGBT VCE(sat)檢測、
欠壓鎖定（UVLO）[4]
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反饋（故障）：在檢測到VCE(sat)或UVLO（集電極開路輸出）時(shí)激活
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隔離特性
（@Ta＝25℃）
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隔離電壓BVS最小值（Vrms）
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5000
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機(jī)械參數(shù)
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最小電氣間隙（mm）
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8.0
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最小爬電距離（mm）
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8.0
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內(nèi)部最小隔離厚度（mm）
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0.4
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庫存查詢與購買
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在線購買
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注釋：
[1] 柵極信號軟關(guān)斷、故障反饋功能
[2] TLP5214、TLP5214A
[3] UVLO：欠壓鎖定
[4] 常見VE |
