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| 可控硅設(shè)計(jì)十條黃金規(guī)則 |
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| 文章來源：永阜康科技 更新時(shí)間：2021/3/9 10:31:00 |
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1．為了導(dǎo)通閘流管(或雙向可控硅),必須有門極電流≧IGT ,直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL 。這條件必須滿足,并按可能遇到的最低溫度考慮;
2．要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅),負(fù)載電流必須
3． 設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí),只要有可能,就要避開3+象限(WT2-,+);
4． 為減少雜波吸收,門極連線長度降至最低。返回線直接連至MT1(或陰極),若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1 間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法,選用H 系列低靈敏度雙向可控硅;
5． 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起問題,在MT1 和MT2 間加入RC 緩沖電路。若高dICOM/dt 可能引起問題,加入一幾mH 的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法,采用Hi-Com 雙向可控硅;
6． 假如雙向可控硅的VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出,采用下列措施之一:負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH 的不飽和電感,以限制dIT/dt;用MOV 跨接于電源,并在電源側(cè)增加濾波電路;
7． 選用好的門極觸發(fā)電路,避開3+象限工況,可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt 承受能力;
8． 若雙向可控硅的dIT/dt 有可能被超出,負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH 的無鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法:對電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通;
9． 器件固定到散熱器時(shí),避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定,然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。;
10．為了長期可靠工作,應(yīng)保證Rth j-a 足夠低,維持Tj 不高于Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。 |
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4.5V-22V |
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