概要
CS5263E是一款采用CMOS工藝,電容式升壓型GF類單聲道音頻功放,可以為3Ω的負(fù)載提供最高7W的連續(xù)功率；CS5263E芯片內(nèi)部固定的28倍增益，有效的減少了外圍元器件 的數(shù)量;功放集成了D類和AB類兩種工作模式即可保證D類模式下強(qiáng)勁的功率輸出,又可兼顧系統(tǒng)在有FM的情況下,消除功放對(duì)系統(tǒng)的干擾；CS5263E具有獨(dú)特的防破音(NCN)功 能,可根據(jù)輸出信號(hào)的大小自動(dòng)調(diào)整功放的增益，實(shí)現(xiàn)更加舒適的聽覺感受. CS5263E的外圍只有低成本的阻容器件,在以鋰電池供電的移動(dòng)式音頻設(shè)備中,CS5263E是理想的音頻子系統(tǒng)的功放解決方案.CS5263E的全差分架構(gòu)和極高的PSRR有效地提高了CS5263E對(duì)RF噪聲的抑制能力。另外CS5250E內(nèi)置了過(guò)流保護(hù)和過(guò)熱保護(hù),有效的保護(hù)芯片在 異常的工作條件下不被損壞。
CS5263E提供了ESOP10的封裝類型,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。
特征
集成Charge Pump升壓模塊,集成AB類D類兩種工作模式GF類音頻功放,
輸出功率
Po at VBAT = 5.0V, RL=4Ω
THD+N=10% 6.0W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1% 4.8W(NCN OFF@D MODE)
Po at VBAT = 3.6V, RL=4Ω+33uH
THD+N=10% 5.0W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1% 4.3W(NCN OFF@D MODE)
Po at VBAT = 5.0V, RL=3Ω+33uH
THD+N=10% 7.0W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1% 5.8W(NCN OFF@D MODE)
Po at VBAT = 3.6V, RL=3Ω+33uH
THD+N=10% 5.7W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1% 5.0W(NCN OFF@D MODE)
輸入電壓范圍:2.7~5.5V
關(guān)斷電流: <1μA
待機(jī)電流: 20mA@5V
D類調(diào)制頻率: 350KHz
防破音模式開關(guān)
AERC專利技術(shù),提供優(yōu)異的全帶寬EMI抑制能力
優(yōu)異的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)雜音抑制能力
高的電源抑制比(PSRR)：在217Hz下為-80dB
過(guò)溫保護(hù)
過(guò)壓保護(hù)
應(yīng)用
藍(lán)牙音箱、便攜式音頻設(shè)備
管腳排列以及定義
典型應(yīng)用電路圖
詳細(xì)的產(chǎn)品資料及銷售聯(lián)絡(luò)信息請(qǐng)參看：http://m.uxxk.cn/products_4933.htm
