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瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動IC用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
文章來源:永阜康科技 更新時間:2023/1/31 10:18:00
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全新柵極驅(qū)動IC支持1200V功率器件,隔離電壓為3.75kVrms

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子 今日宣布,推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。

柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號,并將這些信號傳遞至高壓域,快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kVrms(kV均方根)隔離器,比上一代產(chǎn)品的2.5kVrms隔離器更高,可支持耐壓高達1200V的功率器件。此外,全新驅(qū)動IC擁有150V/ns(納秒)或更高的CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度)性能,在滿足逆變器系統(tǒng)所需的高電壓和快速開關速度的同時,帶來可靠的通信與更強的抗噪能力。新產(chǎn)品在小型SOIC16封裝中實現(xiàn)柵極驅(qū)動器的基本功能,使其成為低成本變頻器系統(tǒng)的理想選擇。

RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產(chǎn)品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。除適用于牽引逆變器外,該柵極驅(qū)動器IC還非常適合采用功率半導體的各類應用,如車載充電器和DC/DC轉換器。為助力開發(fā)商將產(chǎn)品迅速推向市場,瑞薩推出xEV逆變器套件解決方案,該方案將柵極驅(qū)動IC與MCU、IGBT和電源管理IC相結合,并計劃在2023年上半年發(fā)布包含新柵極驅(qū)動IC的版本。

瑞薩電子汽車模擬應用特定業(yè)務部副總裁大道昭表示:“瑞薩很高興面向車載應用推出具有高隔離電壓和卓越CMTI性能的第二代柵極驅(qū)動IC。我們將繼續(xù)推動針對電動車輛的應用開發(fā),打造能減少電力損失并滿足用戶系統(tǒng)高水平功能安全性的解決方案!

RAJ2930004AGM柵極驅(qū)動IC的關鍵特性

隔離能力

• 耐受隔離電壓:3.75kVrms
• CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度):150V/ns

柵極驅(qū)動能力

• 輸出峰值電流:10A
• 保護/故障檢測功能
• 片上有源米勒鉗制
• 軟關斷
• 過流保護(DESAT保護)
• 欠壓鎖定(UVLO)
• 故障反饋

工作溫度范圍

• -40至125°C(Tj:最高150°C)

該產(chǎn)品將通過實現(xiàn)高成本效益的逆變器來推動電動汽車采用率的提升,從而最大限度減少對環(huán)境的影響。

供貨信息

RAJ2930004AGM柵極驅(qū)動IC現(xiàn)可提供樣片,并計劃在2024年第一季度量產(chǎn)。

 
 
 
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