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東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實現(xiàn)電源電路小型化
文章來源:永阜康科技 更新時間:2023/7/4 9:51:00
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采用最新一代工藝,可提供低導(dǎo)通電阻和擴展的安全工作區(qū)

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻,比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較,TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴展了76%[3],使其適合線性模式工作。而且降低導(dǎo)通電阻和擴大安全工作區(qū)的線性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數(shù)量。此外,其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V,不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。

新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。

未來,東芝將繼續(xù)擴展其功率MOSFET產(chǎn)品線,通過減少損耗來提高電源效率,并幫助降低設(shè)備功耗。

應(yīng)用

-    數(shù)據(jù)中心和通信基站等通信設(shè)備的電源
-    開關(guān)電源(高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等)

特性

-    具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻:RDS(ON)=3.1mΩ(最大值)(VGS=10V)
-    寬安全工作區(qū)
-    高額定結(jié)溫:Tch(最大值)=175℃

主要規(guī)格

(除非另有說明,Ta=25℃)

器件型號

TPH3R10AQM

絕對最大額定值

漏極-源極電壓VDSS(V)

100

漏極電流(DC)ID(A)

Tc=25℃

120

結(jié)溫Tch(℃)

175

電氣特性

漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)
最大值(mΩ)

VGS=10V

3.1

VGS=6V

6.0

總柵極電荷(柵極-源極+柵極-漏極)Qg典型值(nC)

83

柵極開關(guān)電荷Qsw典型值(nC)

32

輸出電荷Qoss典型值(nC)

88

輸入電容Ciss典型值(pF)

5180

封裝

名稱

SOP Advance(N)

尺寸典型值(mm)

4.9×6.1

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注:

[1] 在設(shè)備運行時,在不關(guān)閉系統(tǒng)的情況下導(dǎo)通和關(guān)斷系統(tǒng)部件的電路。
[2] 截至2023年6月的東芝調(diào)查。
[3] 脈沖寬度:tw=10ms,VDS=48V

 
 
 
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