類別
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設(shè)計(jì)/特性
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功能
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相關(guān)參數(shù)
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電源
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VM 電機(jī)電壓
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為上電器件提供初級(jí)電壓輸入、啟用內(nèi)核 IC 運(yùn)行和為穩(wěn)壓器供電。
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VM - 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電壓
I_VM - 工作電源電流
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穩(wěn)壓器
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VCP 電荷泵穩(wěn)壓器
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使用電容器和開(kāi)關(guān)電路為高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器提供更高的電壓。
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VCP - 存儲(chǔ)的電荷泵電壓輸出
CPH/CPL - 飛跨電容器正負(fù)極節(jié)點(diǎn)
VDRAIN 或 VM - 電荷泵電壓基準(zhǔn)
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VGLS 線性穩(wěn)壓器
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為低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器電壓提供 ~11V 電壓源。
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最大輸入電壓
最小輸入電壓(壓降)
電流消耗和額定值
功耗
外部輸出電容器
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DVDD 線性穩(wěn)壓器
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提供可供外部電路使用的 5V 電壓源。
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降壓/升壓穩(wěn)壓器
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使用開(kāi)關(guān)直流/直流電路電源穩(wěn)壓器提供電壓源。
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選擇外部元件,例如電容器、電感器、二極管和開(kāi)關(guān)
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故障檢測(cè)
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過(guò)流
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電路保護(hù)功能,可在系統(tǒng)中產(chǎn)生過(guò)流時(shí)觸發(fā)。通常通過(guò)監(jiān)控串聯(lián)電阻上的壓降來(lái)實(shí)現(xiàn)。
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V_DS - MOSFET 漏源電壓
V_Sense - R_sense 兩端的壓降
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過(guò)熱
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電路保護(hù)功能,可在系統(tǒng)溫度過(guò)高時(shí)觸發(fā)警告和故障。
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器件溫度
PCB 散熱和設(shè)計(jì)布局
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欠壓/過(guò)壓
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電路保護(hù)功能,可在出現(xiàn)不規(guī)則電壓時(shí)觸發(fā)。系統(tǒng)中的各種電壓電源和穩(wěn)壓器可能具有此保護(hù)。
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VM - 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器輸入電壓
VCP - 電荷泵電壓
VDRAIN - 高側(cè) MOSFET 漏極電壓
VGLS - 來(lái)自穩(wěn)壓器的低側(cè)柵極電壓
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柵極驅(qū)動(dòng)器故障
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電路保護(hù)功能,可監(jiān)控 GHx/GLx 引腳上的柵極驅(qū)動(dòng)電壓與外部 MOSFET 柵極電壓。
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I_Drive - 柵極驅(qū)動(dòng)電流設(shè)置
T_Drive - 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)序設(shè)置
MOSFET 柵極源電壓(電勢(shì)短路)
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輸出開(kāi)關(guān)
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柵極驅(qū)動(dòng)器和輸出 MOSFET
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驅(qū)動(dòng)器件輸出高/低取決于器件輸入。需要適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)電壓和柵極驅(qū)動(dòng)電流設(shè)置以實(shí)現(xiàn)出色性能。
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柵極驅(qū)動(dòng)電壓和電流
輸出 MOSFET 額定值
特定于器件的真值表邏輯
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傳感器和反饋
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霍爾效應(yīng)傳感器
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根據(jù)轉(zhuǎn)子的磁場(chǎng)提供有關(guān)轉(zhuǎn)子位置的反饋。
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)接線/信號(hào)布線
霍爾效應(yīng)傳感器放置
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CSA - 電流檢測(cè)放大器
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監(jiān)測(cè)流經(jīng)半橋 LS 的電流。
- 閉環(huán)相電流反饋
- 實(shí)施過(guò)流保護(hù)
- 實(shí)施外部扭矩控制
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R_sense - 電阻器選擇
CSA 的增益設(shè)置
單向與雙向電流檢測(cè)
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)接線/信號(hào)布線
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可編程性
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I2C/SPI 協(xié)議
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器件可通過(guò)使用各種存儲(chǔ)器寄存器和已編程的用戶設(shè)置來(lái)提供可配置的功能。
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存儲(chǔ)器寄存器地址和位值
器件還可能具有用于指示故障事件類型的故障代碼存儲(chǔ)寄存器
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