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ACM86xx EVM整體布局視圖

ACM86xx EVM Top Layer

1） 芯片焊盤下面的鋪地盡量完整，而且鋪地面積盡量延伸至較寬范圍.

2) 輸出濾波器的接地以最短路徑返回到芯片GND.

3) 電源線走線盡量寬，濾波電容盡 量靠近芯片PVDD管腳.

4) DVDD域的濾波器電容盡量靠近芯片.

5) 輸出濾波器附近地過孔數(shù)量夠，保證最短路徑返回到芯片GND。

ACM86xx EVM Bottom Layer

1） 散熱焊盤下面刮亮銅皮，芯片下方給足散熱過孔，建議至少15個以上

Layer2/3, 內(nèi)層PVDD電源走線，盡量寬內(nèi)層GND盡量保持完整

實際應用案例分析1

問題表現(xiàn)：

1）功放芯片啟動就無聲，過流保護.

2) 大信號播放一段時間后無聲，過熱保護.

原因分析：

1）陶瓷貼片濾波電容擺放離芯片PVDD管腳太遠，導致功放芯片啟動就產(chǎn)生過流保護.

2) 功放芯片是ACM8629 Pad Up頂部 散熱，芯片上方預留給散熱片的面積空間較小，只能裝比較小的散熱片，大功率播放較長時間后導致整個PCB以及散熱片溫度越來越高， 功放芯片過熱保護.

實際應用案例分析2

問題表現(xiàn)：

1）功放芯片啟動就無聲，過流保護，甚至燒片.

2) 大信號播放一段時間后無聲，過熱 保護.

原因分析：

1）陶瓷貼片濾波電容擺放離芯片PVDD管腳太遠，導致功放芯片啟動就 產(chǎn)生過流保護.

2)  輸出電感飽和電流較小，尤其對于 PBTL的輸出電感，需要選擇電流更大 一些的電感.

3) 功放芯片是ACM8629 Pad Up頂部散熱，芯片上方預留給散熱片的面積空間較小，只能裝比較小的散熱片，大功率播放較長時間后導致整個PCB以及散熱片溫度越來越高，功放芯片過熱保護.

實際應用案例分析3

問題表現(xiàn)：

1) 大信號播放一段時間后無聲，過熱 保護.

原因分析：

1）PCB板布局過于緊湊，功率密度太大，狹小的空間內(nèi)布局2顆ACM8625P功放.

2) 大功率播放較長時間后導致整個PCB以及散熱片溫度越來越高，功放芯片過熱保護.

實際應用案例分析4

問題表現(xiàn)：

1) EMI 測試通過失敗原因分析：

1）PCB板布局過于緊湊，輸出電感無法靠近功放輸出腳擺放，導致功率輸出的PWM信號走線很長，對EMI產(chǎn)生很大挑戰(zhàn).

2) 雖經(jīng)過調(diào)整，增加輸出Snubber電路，以及調(diào)整PWM開關(guān)頻率，開Spread Spectrum，有所改善，還是不能最終通過EMI測試要求.

實際應用案例分析5

問題表現(xiàn)：

1)大信號播放一段時間后無聲，過熱保護

原因分析：

1）兩層PCB板設(shè)計，PVDD電源將功放周邊的GND銅皮切割成孤島.

2) 在大信號播放時，功放芯片通過引 腳和底部散熱片向PCB散熱，由于周邊銅皮被切割成孤島，影響熱量傳導，長時間后芯片過熱保護.

實際應用案例分析6

問題表現(xiàn)：

1）功放芯片啟動就無聲，過流保護， 甚至燒片.

原因分析：

1）陶瓷貼片濾波電容擺放離芯片PVDD管腳太遠，導致功放芯片啟動就產(chǎn)生過流保護.

2)功放的PGND只有一個過孔跟BOTTOM層的地相連，功放底部的大片GND也沒有過孔跟BOTTOM層相連， 導致電流路徑過長，很不穩(wěn)定.