1. Class H 功能概述
Class H技術(shù)是一種提高音頻系統(tǒng)效率的動(dòng)態(tài)調(diào)壓技術(shù)。其原理是由音頻功放實(shí)時(shí)檢測(cè)音頻輸入,根據(jù)所要輸出的信號(hào)擺幅,給出供電電壓調(diào)節(jié)信號(hào);boost根據(jù)接收到的電壓調(diào)節(jié)信號(hào),動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)輸出電壓。通常,輸出功率一定時(shí),功放的效率會(huì)隨供電電壓的增加而降低,boost 的效率同樣會(huì)隨輸出電壓的提高而降低。由于音頻信號(hào)通常具有比較高的峰值因數(shù),平均功率只有峰值功率的40%或更低。Class H技術(shù)可實(shí)現(xiàn)boost的輸出電壓對(duì)于音頻 輸出幅值的動(dòng)態(tài)追蹤,使得boost的輸出(即功放供電電壓)保持在“剛剛好”的電壓上,既不會(huì)因?yàn)閎oost輸出電壓不足而發(fā)生削波失真,又避免了因?yàn)閎oost輸出電壓過(guò)高而降低系統(tǒng)效率,整個(gè)音頻系統(tǒng)總是工作在效率最優(yōu)的狀態(tài)。圖1為Class H應(yīng)用系統(tǒng)框圖。圖2為boost輸出電壓和功放音頻輸出的實(shí)測(cè)波形示例。
對(duì)于便攜式音頻系統(tǒng),如便攜式藍(lán)牙音箱、拉桿音箱等,Class H技術(shù)可在相同的電池容量下,大幅提高續(xù)航時(shí)間,對(duì)于降低產(chǎn)品內(nèi)部溫升亦有幫助。表1展示了同一套系統(tǒng),在音樂(lè)、音量都相同的情況下,打開(kāi)或關(guān)閉Class H 功能的對(duì)比實(shí)測(cè)結(jié)果。當(dāng)關(guān)閉Class H 功能時(shí),boost輸出電壓保持在最大音頻功率所對(duì)應(yīng)的最高值。
ACM86xx全系列數(shù)字輸入音頻功放均可支持Class H功能。ACM86xx以PWM 的形式給出的電壓調(diào)節(jié)信號(hào),更低的占空比對(duì)應(yīng)于更高的boost輸出電壓,反之亦然。此PWM信號(hào), 經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)腞C低通濾波后,連接至boost的FB引腳,即可實(shí)現(xiàn)對(duì)于boost輸出電壓的動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)。只要boost具有足夠的功率輸出能力,ACM86xx的Class H功能可以與任何boost芯片配合。
2. Class H 設(shè)計(jì)指南
2.1 硬件部分
ACME 軟件集成了Class H參數(shù)計(jì)算功能。用戶可根據(jù)系統(tǒng)需求輸入?yún)?shù),即可得到硬件參考設(shè)計(jì)。
下面以單串鋰電池 + TPS61288 (boost) + ACM8625 為例,解析硬件設(shè)計(jì)過(guò)程。表 2 列 出了設(shè)計(jì)范例的參數(shù),
1) 點(diǎn)擊 Enable
2) 根據(jù)音頻峰值功率需求和喇叭阻抗,確定 boost輸出電壓范圍。
此案例中,最大音頻功率為2*15W,喇叭阻抗4歐姆。查詢 ACM8625 Output Power vs. PVDD 曲線(規(guī)格書(shū) Figure 3),最高電壓應(yīng)為 13V 左右?紤]到 boost 環(huán)路帶 寬較低,負(fù)載跳變時(shí)輸出電壓易出現(xiàn)較大跌落,這里取 15V 作為 Class H 中的最高 電壓。最低電壓略高于電池電壓即可,這里選擇 8.5V。
3) 查詢 boost 規(guī)格書(shū),得到 boost 的 FB 電壓,如圖3。
得到 TPS61288 的 feedback 參考電壓為 0.6V。
4) 選擇合適的boost下反饋電阻阻值,通?蔀閹譳 到幾十k歐姆之間。 這里選擇15k。
5) 選擇功放的DVDD電壓與GPIO引腳。 DVDD是硬件設(shè)計(jì)中,為ACM86xx的DVDD分配的供電電壓,這里選擇3.3V。 Class H GPIO為Class H信號(hào)由ACM86xx上哪一個(gè)引腳引出,應(yīng)該與硬件設(shè)計(jì)相匹配。共有兩個(gè)選項(xiàng),GPIO3對(duì)應(yīng)與芯片的Pin 5,GPIO1對(duì)應(yīng)于芯片的Pin 9。這里選擇GPIO3。
經(jīng)過(guò)上述步驟,即可得到RC阻容值,包括圖4中的R1,R2,R3,R4,C1,C2。此外,
其他硬件設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)問(wèn)題,例如 boost 選型與輸出電容選擇等,在第4部分中予以討論。
2.2 軟件部分
當(dāng)連接到demo板進(jìn)行在線調(diào)試時(shí),每輸入一個(gè)參數(shù)并且按回車,軟件都會(huì)更新芯片中的寄存器。調(diào)試完成后,隨其他調(diào)音參數(shù)一起,export為.c 文件,最終集成到主平臺(tái)軟件上作為功放初始化腳本。
3. 調(diào)試指南
3.1 調(diào)試步驟
ACME 建議的調(diào)試步驟如下:
第一步,功放空載不接喇叭,輸入為1kHz連續(xù)正弦波信號(hào),手動(dòng)給從低到高幾個(gè)不同幅值的輸入,萬(wàn)用表測(cè)量boost輸出電壓。當(dāng)輸入為0或者幅值很低時(shí),boost輸出應(yīng)等于預(yù)設(shè)的Class H 最低電壓; 當(dāng)輸入不斷增大時(shí),boost輸出應(yīng)逐漸增加,直到到達(dá)預(yù)設(shè)的Class H最高電壓。
第二步,功放空載不接喇叭,輸入1kHz連續(xù)正弦波信號(hào),掃描THD+N vs. Output Power曲線。在到達(dá)設(shè)計(jì)的最高輸出功率前,THD+N不應(yīng)有明顯增加。
第三步,接上喇叭或與喇叭阻抗相等的純電阻負(fù)載。以正弦波測(cè)試,重復(fù)第二步。典型 曲線如圖 5 所示。若第二步無(wú)異常,而第三步發(fā)生異常,則說(shuō)明 boost 功率能力不足。
第四步,調(diào)整輸入幅值,使得輸出達(dá)到系統(tǒng)最大輸出功率,以正弦波作為輸入,掃描THD+N vs. Output Power曲線。在整個(gè)音頻帶內(nèi),THD+N不應(yīng)超出系統(tǒng)要求的最大失真(通常為1%),如圖6所示。
第五步,前述步驟都已確定無(wú)問(wèn)題以后,以實(shí)際喇叭播放音樂(lè)進(jìn)行聽(tīng)音測(cè)試。
3.2 故障排除方法
Class H 工作不正常的常見(jiàn)現(xiàn)象包括,Boost電容、電感嘯叫,音頻輸出失真偏大,喇叭聲音異常等等。出現(xiàn)此類異常時(shí),可參考以下兩種方法進(jìn)行調(diào)試。
方法一,將 boost 輸出與功放的PVDD供電斷開(kāi),使用外接功率能力足夠的穩(wěn)壓電源測(cè)試。如果故障排除,則說(shuō)明Class H動(dòng)態(tài)升壓部分確有問(wèn)題;如仍然異常,則說(shuō)明此故障與Class H無(wú)關(guān),建議先bypass Class H調(diào)試。
方法二,將喇叭取下,即功放空載,掃描THD+N對(duì)頻率和輸出功率曲線。如果故障排除,則說(shuō)明是由于boost功率能力不夠引起的問(wèn)題,需要改善boost動(dòng)態(tài)性能,或者更換輸出功率能力更強(qiáng)的boost。
經(jīng)上述兩種方法判斷,如果故障仍然存在,則可以斷開(kāi)功放Class H引腳的所有連接(除了到 DVDD 上拉電阻應(yīng)保留),給到功放不同幅值的輸入信號(hào),用示波器觀察Class H引腳的PWM輸出波形。圖7為幾種不同輸入幅值時(shí),PWM的占空比變化情況。
4. 常見(jiàn)問(wèn)題討論
4.1 boost選型
Class H設(shè)計(jì)中的boost選型,主要由音頻功率指標(biāo)所決定。需要注意的是,一般所講的最大音頻功率指的都是以正弦波來(lái)衡量的RMS功率。然而,正弦波的峰值功率實(shí)際上是RMS功率的兩倍。Boost應(yīng)當(dāng)按照能夠提供此峰值功率。舉例來(lái)說(shuō),對(duì)于一個(gè)標(biāo)稱最大功率為15W的4歐姆雙聲道設(shè)計(jì),實(shí)際上功放輸出的峰值功率是30W*2,即60W;再查看ACM86xx的規(guī)格書(shū),得到此工況下的效率值,這里假設(shè)為83%;即可得到boost的最大負(fù)載 功率為30W/83%,大約為72W。對(duì)于忽略各種損耗的理想Boost,
其中, 𝐼是boost平均電感電流, 𝐼_是電感峰值電流, 𝑉為boost輸入電壓, 𝐼為boost輸出電流,𝐷為占空比,T為開(kāi)關(guān)周期。
具體舉例來(lái)說(shuō),當(dāng)VIN 為7.2V,VOUT為15V,IOUT 為5A,開(kāi)關(guān)頻率為600kHz,L為2.2uH 時(shí),理論上輸入的峰值電流可達(dá)12A。而實(shí)際情況下,考慮boost控制環(huán)路有限的帶寬,在輸出電壓動(dòng)態(tài)變化時(shí)往往會(huì)出現(xiàn)更高的峰值電流。因此,在boost選型時(shí),其負(fù)載能力(通 常是指開(kāi)關(guān)電流限值)至少應(yīng)該能夠覆蓋模擬音頻信號(hào)的正弦波峰值功率的需求,能提供20%以上的裕量更佳。
在實(shí)際播放音樂(lè)中,應(yīng)用Class H功能時(shí),boost的輸出電壓和負(fù)載狀況不斷跳變。在音頻峰值出現(xiàn)時(shí),boost由輕載過(guò)渡到重載狀態(tài),輸出電壓會(huì)有跌落。正確的設(shè)計(jì)應(yīng)保證跌落的boost輸出電壓仍高于最大的功放輸出擺幅,不會(huì)引起功放輸出削波失真。前述例子中的測(cè)試波形,如下圖所示。當(dāng)每個(gè)通道的輸出功率從15W增大到20W時(shí),輸出擺幅增大,出現(xiàn)了削波失真。
此類削波失真出現(xiàn)的常見(jiàn)原因,除了 boost 自身功率能力不足以外,與 boost 的輸出電容 選擇以及環(huán)路補(bǔ)償設(shè)計(jì)也密切相關(guān)。這些內(nèi)容將在下一小節(jié)中討論。
4.2 boost 輸出電容與環(huán)路優(yōu)化
傳統(tǒng)音頻功放設(shè)計(jì)中,為了避免在音頻瞬態(tài)峰值信號(hào)到來(lái)時(shí)電源電壓大幅跌落導(dǎo)致的削 波失真,功放的電源輸入端往往會(huì)放置幾百甚至幾千uF 的大電容。而在Class H設(shè)計(jì)中, boost輸出電壓是根據(jù)音頻信號(hào)動(dòng)態(tài)變化的。boost輸出電壓的改變需要為其輸出電容充放電,而這些電荷又是boost的負(fù)載電流提供的。過(guò)大的輸出電容,會(huì)加重boost的負(fù)載壓力, 使得電壓追蹤能力下降。從另一個(gè)角度講,輸出電容增大會(huì)使得boost控制環(huán)路中的主負(fù)載極點(diǎn)向更低頻移動(dòng),限制了控制環(huán)路的帶寬和動(dòng)態(tài)性能,無(wú)法充分發(fā)揮boost的動(dòng)態(tài)能力。使用大容量電解電容還占用了更大的空間,也推高了硬件成本。
圖10是不同輸出電容組合,相同的環(huán)路補(bǔ)償參數(shù)下,以1kHz正弦波輸入掃描THD+N vs. Output Power 曲線,再固定2*15W的輸出功率掃描THD+N vs. Frequency?梢(jiàn),對(duì)于目標(biāo)最大音頻RMS功率 2*15W,僅使用50uF 陶瓷電容(考慮 DC bias 衰減后的有效容值), 已經(jīng)能夠滿足要求失真要求,而不必再另外增加boost輸出電容。
進(jìn)一步,再討論不同環(huán)路補(bǔ)償參數(shù)的影響。 在前述測(cè)試條件基礎(chǔ)上,功放增大輸出功率到 2*18W,boost 輸出端增加一個(gè) 100uF 電解 電容,以比較不同 boost 環(huán)路補(bǔ)償參數(shù)對(duì)失真度的影響。TPS61288 控制環(huán)路為峰值電流模式, 當(dāng)輸出 2*18W/85%時(shí),此時(shí)負(fù)載主極點(diǎn)位于,
電解電容的 ESR 零點(diǎn)位于,
考慮陶瓷電容對(duì)電解電容 ESR 零點(diǎn)的影響,實(shí)際的輸出電容網(wǎng)絡(luò) ESR 零點(diǎn)頻率還會(huì)略高一些。 幾組 RCOMP, CCOMP補(bǔ)償參數(shù)及其對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償零點(diǎn)分別為,
15k + 1nF,fcomp_z=10.6kHz
33k + 1nF,fcomp_z=4.8kHz
51k + 1nF,fcomp_z=3.1kHz
考慮到 ESR 零點(diǎn)與負(fù)載主極點(diǎn)距離較遠(yuǎn),在保持環(huán)路穩(wěn)定的前提下,補(bǔ)償零點(diǎn)越靠近負(fù)載 主極點(diǎn),則環(huán)路帶寬越高,動(dòng)態(tài)響應(yīng)越好。這表現(xiàn)為重載條件到來(lái)時(shí)boost能夠快速響應(yīng),其輸出電壓不會(huì)跌落太大,發(fā)生削波失真。圖11為輸出功率為2*18W,其他測(cè)試條件相同,上述三組補(bǔ)償參數(shù)所對(duì)應(yīng)的THD+N vs. Frequency掃描結(jié)果?梢(jiàn)經(jīng)過(guò)恰當(dāng)補(bǔ)償?shù)腷oost環(huán)路, 可以有效改善削波失真。
此外,測(cè)試中還包括了一組參數(shù),保持RCOMP不變,將CCOMP加大,
51k + 2.2nF,1.4kHz
從圖11上可見(jiàn),雖然其補(bǔ)償零點(diǎn)頻率更低,但其環(huán)路補(bǔ)償效果仍差于51k+1nF。這是因?yàn)椋?更大的CCOMP使得boost環(huán)路的開(kāi)環(huán)增益曲線在低頻段的下降斜率加大,最終導(dǎo)致環(huán)路帶寬不增反降。
如圖12所示,從時(shí)域波形上同樣可以觀察到合適的補(bǔ)償參數(shù)改善了環(huán)路動(dòng)態(tài)性能,降 低了boost輸出電壓的波動(dòng)幅度,改善了削波失真程度。
值得一提的是,ACM86xx 集成了Look-ahead功能,可在音頻功率峰值到來(lái)之前,提前幾個(gè)ms將boost輸出電壓升高到所需的電壓值,大幅度減輕了音頻功率峰對(duì)于boost的沖擊。
總之,當(dāng)出現(xiàn)boost輸出電壓波動(dòng)過(guò)大導(dǎo)致削波失真時(shí),應(yīng)首先考慮優(yōu)化boost環(huán)路參 數(shù),改善其動(dòng)態(tài)負(fù)載性能。若仍然無(wú)法滿足要求,再考慮增大輸出電容,重新迭代環(huán)路優(yōu)化過(guò)程,直到削波失真程度降低到可以接受為止。
4.3 boost 環(huán)路穩(wěn)定性
在 Class H應(yīng)用中,boost的輸出電壓不斷變化,負(fù)載也在不斷變化,boost應(yīng)始終保持 環(huán)路穩(wěn)定,不應(yīng)出現(xiàn)環(huán)路失穩(wěn)時(shí)常見(jiàn)的“大小波”或“multi-pulse”現(xiàn)象,這就對(duì)boost的環(huán)路 設(shè)計(jì)提出了較高要求。環(huán)路失穩(wěn)常常會(huì)導(dǎo)致電感電流紋波增大或輸出電壓不穩(wěn),引起電容電感嘯叫。
通常來(lái)說(shuō),輸入電壓越低,輸出電壓越高,負(fù)載電流越大,boost控制環(huán)路越容易失穩(wěn)。 因此,Class H中boost環(huán)路設(shè)計(jì)的最惡劣工況,應(yīng)該是最低輸入電壓、最高輸出電壓、最大音頻功率輸出時(shí),設(shè)計(jì)測(cè)試中應(yīng)首先確保此工況下的穩(wěn)定性。在此基礎(chǔ)上,再不斷調(diào)節(jié)音頻輸出幅度,確保其他工況下的穩(wěn)定性。
4.4 電池電壓跌落、boost 最低工作電壓
從前述分析可知,電池供電的音頻系統(tǒng),尤其是單節(jié)電池系統(tǒng),boost在工作時(shí)會(huì)從電 池輸入端抽取很大的電流。且放電截止電壓越低,boost升壓比越大,輸入側(cè)峰值電流越高。 因此,應(yīng)根據(jù)系統(tǒng)的電流能力,仔細(xì)考慮電池放電的截止電壓。必要時(shí)還可設(shè)置boost的限 流值,防止boost輸入電流過(guò)大,將電池電壓拉到低于整個(gè)的系統(tǒng)欠壓閾值,導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。 系統(tǒng)的電流能力的主要考慮因素包括,電池本身的放電電流能力,電池等效內(nèi)阻,線損。另外,如果系統(tǒng)上電池放電經(jīng)過(guò)Charger芯片,還應(yīng)將charger的電池放電MOS的電流能力考慮在內(nèi)。
5. 總結(jié)
ACM86xx 系列功放集成了Class H功能,可與各種boost轉(zhuǎn)換器一起,有效提高各種音頻系統(tǒng)的效率,降低發(fā)熱量,大幅提高電池的續(xù)航時(shí)間。ACME 軟件可以幫助設(shè)計(jì)者快速完 成 Class H相關(guān)的軟硬件配置。本文還討論了 boost 選型、調(diào)試過(guò)程等常見(jiàn)問(wèn)題,為設(shè)計(jì)者提供了完整的Class H設(shè)計(jì)指南。
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