圖3.3.1 中的 MOS 管屬于 N 溝道增強(qiáng)型。這種類型的MOS管采用P型襯底，導(dǎo)電溝道是 N 型。在vC5=0時(shí)沒有導(dǎo)電溝道，開啟電壓Vcs(u)為正。工作時(shí)使用正電源，同時(shí)應(yīng)將襯底接源極或者接到系統(tǒng)的電位上。在圖3.3.1給出的符號(hào)中，用D S間斷開的線段表示Vcs=0時(shí)沒有導(dǎo)電。
溝道，即 MOS管為增強(qiáng)型。襯底 B 上的箭頭指向 MOS管內(nèi)部，表示導(dǎo)電溝道為N型。柵極引出端畫在靠近源極一側(cè)。
2. P溝道增強(qiáng)型
圖3.3.6 是 P 溝道增強(qiáng)型 MOS 管的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。它采用 N 型襯底，導(dǎo)電溝道為 P型。vGS=0時(shí)不存在導(dǎo)電溝道，只有在柵極上加以足夠大的負(fù)電壓時(shí)，才能把 N型襯底中的少數(shù)載流子——空穴吸引到柵極下面的襯底表面，形成P型的導(dǎo)電溝道。因此，P溝道增強(qiáng)型 MOS管的開啟電壓Vcs(x)為負(fù)值。這種MOS管工作時(shí)使用負(fù)電源，同時(shí)需將襯底接源極或接至系統(tǒng)的電位上。
P 溝道增強(qiáng)型 MOS 管的符號(hào)如圖3.3.6中所示，其中襯底上指向外部的箭頭表示導(dǎo)電溝道為 P型。
用P 溝道增強(qiáng)型 MOS 管接成的開關(guān)電路如圖3.3.8所示。
當(dāng) v =0時(shí)，MOS 管不導(dǎo)通，輸出為低電平。VoL。只要 R 遠(yuǎn)小于 MOS管的截止內(nèi)阻.RorF,則。VoL= VvD。
當(dāng)v1
1. N溝道耗盡型
N 溝道耗盡型 MOS 管的結(jié)構(gòu)形式與 N 溝道增強(qiáng)型 MOS管的相同，都采用P 型襯底，導(dǎo)電溝道為 N型。所不同的是在耗盡VpD型 MOS 管中，柵極下面的二氧化硅絕緣層中摻進(jìn)RD了一定濃度的正離子。這些正離子所形成的電場(chǎng)足以將襯底中的少數(shù)載流子——電子吸引到柵極下面的襯底表面，在 D-S 間形成導(dǎo)電溝道。因 v i 此，在vCS=0時(shí)就已經(jīng)有導(dǎo)電溝道存在了。vC3為增大； 為負(fù)時(shí)導(dǎo)電溝道 v 正時(shí)導(dǎo)電溝道變寬， i vGS變窄， i 減小。
直到 v 小于某一個(gè)負(fù)電壓值VcS(eff)時(shí)，導(dǎo)電溝道才消失，MOS 管截止。V6S(eff)圖3.3.8 用 P溝道增強(qiáng)型稱為 N 溝道耗盡型 MOS管的夾斷電壓。 MOS管接成的開關(guān)電路 圖3.3.9是 N溝道耗盡型 MOS 管的符號(hào),圖中 D-S間是連通的，表示vCS=0時(shí)已有導(dǎo)電溝道存在。其余部分的畫法和增強(qiáng)型 MOS 管相同�！≡谡９ぷ鲿r(shí)，N溝道耗盡型 MOS管的襯底同樣應(yīng)接至源極或系統(tǒng)的電位上。
2. P 溝道耗盡型
P 溝道耗盡型 MOS管與 P 溝道增強(qiáng)型 MOS 管的結(jié)構(gòu)形式相同，也是 N 型襯底，導(dǎo)電溝道為 P 型。所不同的是在 P 溝道耗盡型 MOS管中，vcs=0時(shí)已經(jīng)vCs有導(dǎo)電溝道存在了。當(dāng) vcs為負(fù)時(shí)導(dǎo)電溝道進(jìn)一步加寬， i 的增加；而vCS為正時(shí)導(dǎo)電溝道變窄， i 的減小。當(dāng)( v 的正電壓大于夾斷電壓Vcs(odf)時(shí)，導(dǎo)電溝道消失，管子截止。
圖3.3.10 是 P 溝道耗盡型 MOS 管的符號(hào)。工作時(shí)應(yīng)將它的襯底和源極相連，或?qū)⒁r底接至系統(tǒng)的電位上。
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