第三代650V快速碳化硅MOSFET憑借堅固、熱性能強(qiáng)的TOLL封裝，為關(guān)鍵、高可靠性、高效率的應(yīng)用帶來最高功率密度
納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布為其最新的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs產(chǎn)品組合新增一款堅固耐用的熱性能增強(qiáng)型高速表貼TOLL封裝產(chǎn)品，能為大功率、可靠性要求高的應(yīng)用帶來高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換。
納微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功將高功率能力和行業(yè)最佳的低導(dǎo)通電阻（20至55mΩ）相結(jié)合，并針對如AI數(shù)據(jù)中心電源、電動汽車充電和儲能以及太陽能解決方案等應(yīng)用所需的最快開關(guān)速度、最高效率和更高功率密度特性進(jìn)行了專項優(yōu)化。
納微GeneSiC碳化硅產(chǎn)品基于專有的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)打造，可在運(yùn)行溫度范圍內(nèi)能提供了全球頂尖的效率性能，G3F MOSFETs具備高速、運(yùn)行溫升低的性能，相比市場上其他廠商的碳化硅產(chǎn)品，可使器件的外殼溫度降低高達(dá)25°C并且壽命長3倍。
納微最新發(fā)布的4.5kW高功率密度AI服務(wù)器電源參考設(shè)計，其采用了型號為G3F45MT60L（額定電壓為650V、40mΩ，TOLL封裝）的GeneSiC G3F FETs，用于交錯CCM TP PFC拓?fù)渖�。與LLC上使用型號為NV6515（額定電壓650V，35mΩ，TOLL封裝）的GaNSafe™氮化鎵功率芯片搭配，使這款電源以137W/inch³的功率密度和超過97%的峰值效率，成為全球功率密度最高的AI服務(wù)器電源。同樣，在400V的電動汽車電池系統(tǒng)中，TOLL封裝的G3F MOSFETs是車載充電機(jī)（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及6.6kW-22kW牽引電機(jī)的理想之選。
相較于傳統(tǒng)的D2PAK-7L封裝，表貼TOLL封裝的結(jié)殼電阻（RTH,J-C）要低9%，PCB占位面積也要小30%，厚度低50%并且整體尺寸少60%，有利于打造最高功率密度的解決方案，如納微的4.5kW高功率密度AI服務(wù)器電源。此外，由于其具備僅為2nH的最小封裝電感，可實現(xiàn)卓越的高速開關(guān)性能和最低的動態(tài)損耗。
采用TOLL封裝的納微G3F碳化硅產(chǎn)品系列現(xiàn)已上市銷售。欲了解更多信息，請訪問納微官方網(wǎng)站：www.navitassemi.com
關(guān)于納微半導(dǎo)體
納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast™氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC™碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設(shè)備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導(dǎo)體擁有超過250項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利。截止至2023年8月，氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過1.25億顆，碳化硅功率器件發(fā)貨超1200萬顆。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral®認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。 |
